[发明专利]一种用于LCD背光的大出光角Mini LED芯片制作方法在审
申请号: | 201811470643.7 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN109638120A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 仇凯弘 | 申请(专利权)人: | 福建中晶科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 364000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蓝宝石 光学薄膜 研磨 出光角 制作 衬底 芯片 蓝宝石表面 芯片侧面 芯片工艺 芯片正面 隐形切割 正常工艺 制作工艺 外延层 沉积 多层 减薄 晶圆 良率 堆积 切割 激光 | ||
本发明公开了一种用于LCD背光的大出光角Mini LED芯片制作方法,包括以下步骤:S1:以正常工艺完成芯片前段制作,直至研磨前,包括在蓝宝石衬底上以MOCVD生长外延层和芯片前段各工序,直至晶圆制作完成;S2:研磨减薄蓝宝石衬底,直至较厚的厚度,mini LED的蓝宝石厚度为80‑140μm;S3:在蓝宝石表面沉积DBR光学薄膜,DBR光学薄膜由SiO2和TiO2多层堆积而成;S4:利用多重激光隐形切割对蓝宝石进行切割处理。本发明通过合理设计芯片工艺,减少芯片正面的出光,增加芯片侧面的出光,从而达到增加Mini LED的出光角度的目的,制作工艺易行,成本低,良率高。
技术领域
本发明涉及芯片制作技术领域,尤其涉及一种用于LCD背光的大出光角Mini LED芯片制作方法。
背景技术
随着大众追求超清显示,显示技术需要更高对比度,被称为次时代显示技术的Micro LED成为众厂商积极布局的领域。但是目前由于受到种种技术的瓶颈,Micro LED还远未达到正式量产,于是Mini LED便应运而生。采用Mini LED背光技术的LCD(液晶)显示屏,在亮度、对比度、色彩还原和节能远远优于当今的LCD显示器,甚至可以与AMOLED竞争,同时还能控制生产成本。由于用于面板背光的LED数量大大增加,新技术可以在很大程度上改善LCD屏幕的HDR性能。
一般来说,Mini LED的使用颗数与整机厚度和背光所需的辉度有关,由于电子产品近来不断要求朝着轻薄设计,随着整机厚度降低,背光中保留的混光区势必要缩短,然而为了维持良好的光学表现,Mini LED的使用颗数居高不下。以标准智能手机为例,一个5英寸的手机显示屏包含大约25颗LED芯片,而Mini LED背光可以包含9000到10000颗芯片。若想维持轻薄设计但同时又要降低使用的LED颗数,打开LED出光角度是一个关键课题。
图1显示的用于LCD背光的Mini LED模组示意图。01为线路板,02为基于LED倒装结构的Mini LED芯片,03为液晶面板,04为混光距离。通常LED的出光角度是120°~140°之间,出于轻薄的设计,混光距离的趋势是越来越小,这意味着我们需要更多的芯片来满足整块面板的背光需求。然而,如果我们能设计出增大出光角的LED,如图2右所示,那么在同样混光距离下,整个面板所需的Mini LED芯片可大大减少,有效降低面板的材料成本。此外更少的芯片意味着更低的故障率,可提升面板的良率。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有芯片材料浪费多的缺点,而提出的一种用于LCD背光的大出光角Mini LED芯片制作方法。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种用于LCD背光的大出光角Mini LED芯片制作方法,包括以下步骤:
S1:以正常工艺完成芯片前段制作,直至研磨前,包括在蓝宝石衬底上以MOCVD生长外延层和芯片前段各工序,直至晶圆制作完成;
S2:研磨减薄蓝宝石衬底,直至较厚的厚度,mini LED的蓝宝石厚度为80-140μm;
S3:在蓝宝石表面沉积DBR光学薄膜,DBR光学薄膜由SiO2和TiO2多层堆积而成;
S4:利用多重激光隐形切割对蓝宝石进行切割处理;
S5:最后将蓝宝石裂开,完成芯片的制作。
优选的,所述S2中,所述蓝宝石厚度为100-130μm。
优选的,所述S3中,所述DBR光学薄膜厚度在1-5μm。
优选的,所述S4中,使用激光束多次重复切割,如激光束先划片一遍后,将激光束聚焦上方再进行一次划片,2次以上划片后。
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