[发明专利]一种用于LCD背光的大出光角Mini LED芯片制作方法在审
| 申请号： | 201811470643.7 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109638120A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 仇凯弘 | 申请（专利权）人： | 福建中晶科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 364000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 光学薄膜 研磨 出光角 制作 衬底 芯片 蓝宝石表面 芯片侧面 芯片工艺 芯片正面 隐形切割 正常工艺 制作工艺 外延层 沉积 多层 减薄 晶圆 良率 堆积 切割 激光 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于LCD背光的大出光角Mini LED芯片制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：以正常工艺完成芯片前段制作，直至研磨前，包括在蓝宝石衬底上以MOCVD生长外延层和芯片前段各工序，直至晶圆制作完成；
S2：研磨减薄蓝宝石衬底，直至较厚的厚度，mini LED的蓝宝石厚度为80-140μm；
S3：在蓝宝石表面沉积DBR光学薄膜，DBR光学薄膜由SiO2和TiO2多层堆积而成；
S4：利用多重激光隐形切割对蓝宝石进行切割处理；
S5：最后将蓝宝石裂开，完成芯片的制作。
2.根据权利要求1所述的一种用于LCD背光的大出光角Mini LED芯片制作方法，其特征在于，所述S2中，所述蓝宝石厚度为100-130μm。
3.根据权利要求1所述的一种用于LCD背光的大出光角Mini LED芯片制作方法，其特征在于，所述S3中，所述DBR光学薄膜厚度在1-5μm。
4.根据权利要求1所述的一种用于LCD背光的大出光角Mini LED芯片制作方法，其特征在于，所述S4中，使用激光束多次重复切割，如激光束先划片一遍后，将激光束聚焦上方再进行一次划片，2次以上划片。
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