[发明专利]基于标准CMOS工艺的单层多晶结构EEPROM

摘要

本发明公开了一种单层多晶结构EEPROM，包括P型硅基材、均设置在P型硅基材的第一N型阱和第二N型阱，以及耦合电容管和PMOS晶体管；耦合电容管包括第一浮栅、耦合电容端和第一栅氧化层，耦合电容端和第一栅氧化层均设置在第一N型阱上，第一浮栅设置在第一栅氧化层上；PMOS晶体管包括第二浮栅、均设置在第二N型阱上的P⁺源极掺杂区、P⁺漏极掺杂区、N⁺衬底掺杂区和第二栅氧化层，第二浮栅设置在第二栅氧化层上；第二浮栅通过浮栅导电连接第一浮栅。本发明的单层多晶结构EEPROM，通过改进EEPROM的结构，使之能够承受擦除时的操作电压，与此同时能够基于标准CMOS工艺生产，而不仅仅只局限于某些特定工艺，改善单层多晶结构EEPROM的兼容性，利于降低制造成本。

主权项

1.一种基于标准CMOS工艺的单层多晶结构EEPROM，其特征在于：包括，P型硅基材；第一N型阱，其设置在所述P型硅基材上；第二N型阱，其设置在所述P型硅基材上；耦合电容管，其包括第一浮栅、耦合电容端和第一栅氧化层，所述耦合电容端和第一栅氧化层均设置在所述第一N型阱上，所述第一浮栅设置在所述第一栅氧化层上；PMOS晶体管，其用作所述EEPROM的隧道管和读出管；其包括第二浮栅、P+源极掺杂区、P+漏极掺杂区、N+衬底掺杂区和第二栅氧化层；所述P+源极掺杂区、P+漏极掺杂区、N+衬底掺杂区和第二栅氧化层均设置在所述第二N型阱上，所述第二浮栅设置在第二栅氧化层上；所述第二浮栅通过浮栅导电连接所述第一浮栅。