[发明专利]半导体存储器元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201811451705.X | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111261773B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 王慧琳;许家彰;翁宸毅;林宏展;张境尹;王裕平 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10;H10B61/00;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体存储器元件及其制作方法，该半导体存储器元件包含基底，具有存储单元区域和对准标记区域、介电层，覆盖存储单元区域和对准标记区域、导电通孔，位于存储单元区域内的介电层中、对准标记沟槽，位于对准标记区域的介电层中、存储结构，位于导电通孔上。存储结构包含从底电极金属层定义而来的底电极、从磁性隧穿接面层定义而来的磁性隧穿接面结构，以及上电极。对准标记沟槽中包含一残余金属堆叠，包含部分的底电极金属层及部分的磁性隧穿接面层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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