[发明专利]制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201811440668.2 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110021533A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 胡致嘉;陈宪伟;陈明发;詹森博 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种包括测试垫接触件的半导体装置及一种制造所述半导体装置的方法。在实施例中，半导体装置可包括以单一顶部金属层形式设置在衬底之上的第一金属特征及第二金属特征。可在第一金属特征之上形成测试垫且可将测试垫电连接到第一金属特征。可在第二金属特征及测试垫之上形成第一钝化层且第一钝化层可覆盖测试垫的顶表面及侧表面。可形成穿透第一钝化层并接触测试垫的第一通孔，且可形成穿透第一钝化层并接触第二金属特征的第二通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 金属特征 半导体装置 测试垫 钝化层 通孔 穿透 顶部金属层 覆盖测试 接触测试 侧表面 电连接 顶表面 接触件 衬底 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：在衬底之上形成第一导电特征及第二导电特征；在所述第一导电特征之上形成测试垫且将所述测试垫电性连接到所述第一导电特征；在所述测试垫及所述第二导电特征之上形成结合层；对所述结合层进行刻蚀以形成延伸到所述测试垫的第一开口；对所述结合层进行刻蚀以形成延伸到所述第二导电特征的第二开口；以及分别在所述第一开口及所述第二开口中形成第一结合垫及第二结合垫，其中所述第一结合垫电耦合到所述测试垫，且所述第二结合垫电耦合到所述第二导电特征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
