[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201811425054.7 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109872990B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 尹大豪;全大琁;崔宰荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G06F30/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置及其制造方法。所述方法包括：提供包括第一组和第二组的布局，所述第一组包括第一图案和第二图案，所述第二组包括第三图案和第四图案；检查所述布局中的桥接风险区；偏置所述第一图案和所述第三图案中的至少一个的一端；以及，通过使用所述布局的所述第一图案至所述第四图案分别形成第一导电图案至第四导电图案。所述第一图案和所述第三图案中的至少一个的所述一端与所述桥接风险区相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：提供包括第一组和第二组的布局，所述第一组包括第一图案和第二图案，所述第二组包括第三图案和第四图案；检查所述布局中的桥接风险区；偏置所述第一图案和所述第三图案中的至少一个的一端；以及通过使用所述布局的所述第一图案至所述第四图案分别形成第一导电图案至第四导电图案，其中所述第一图案和所述第三图案中的至少一个的所述一端与所述桥接风险区相邻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
