[发明专利]一种提高GaN增强型MOSFET阈值电压的新型外延层结构在审
| 申请号： | 201811422595.4 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111223933A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王茂俊;陶明 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高GaN增强型MOSFET阈值电压的新型外延层结构及基于该结构的器件制备方法，涉及电力电子器件及功率开关领域。新型结构自下而上包括：衬底、GaN缓冲层、本征GaN层、Mg掺杂P型GaN层、GaN沟道层和AlGaN势垒层。在该结构上用凹槽栅工艺形成钝化层、凹槽栅、平面隔离、绝缘栅介质层、欧姆接触以及栅和源漏欧姆金属电极即可制备出高阈值电压增强型GaN MOSFET。本发明在本征GaN层中插入P型GaN层，将其完全刻蚀后，沟道反型区域除了本征GaN层还有P型GaN层，由此可以极大提高器件的阈值电压。有利于解决GaN增强型器件在实际应用中的可靠性问题，扩宽了其在功率开关领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gan 增强 mosfet 阈值 电压 新型 外延 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811422595.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
