[发明专利]封装件结构和方法有效

专利信息
申请号: 201811396075.0 申请日: 2018-11-22
公开(公告)号: CN110034026B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 林俊成;卢思维;余振华 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 在实施例中,一种器件包括:衬底,具有第一侧和与第一侧相对的第二侧;互连结构,与衬底的第一侧相邻;以及集成电路器件,附接到互连结构;导通孔,从衬底的第一侧延伸到衬底的第二侧,导通孔电连接到集成电路器件;凸块下金属(UBM),与衬底的第二侧相邻并且接触导通孔;导电凸块,位于凸块下金属上,导电凸块和凸块下金属是连续的导电材料,导电凸块与导通孔横向偏移;以及底部填充物,围绕凸块下金属和导电凸块。本发明的实施例还涉及封装件结构和方法。
搜索关键词: 封装 结构 方法
【主权项】:
1.一种形成器件封装件的方法,包括:将集成电路器件附接到中介层的第一侧,所述中介层包括电连接到所述集成电路器件的导通孔;在所述中介层的第二侧上方沉积介电层;图案化所述介电层以暴露所述导通孔;在所述介电层上方形成第一掩模层,所述第一掩模层在所述导通孔上方具有第一图案;在所述第一掩模层的所述第一图案中镀凸块下金属(UBM);在所述凸块下金属和所述第一掩模层上形成第二掩模层,所述第二掩模层具有暴露所述凸块下金属的部分的第二图案;在所述第二掩模层的所述第二图案中镀导电凸块,所述导电凸块与所述导通孔横向偏移;以及去除所述第一掩模层和所述第二掩模层。
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