[发明专利]封装件结构和方法

权利要求书

1.一种形成器件封装件的方法，包括：

将集成电路器件附接到中介层的第一侧，所述中介层包括电连接到所述集成电路器件的导通孔；

在所述中介层的第二侧上方沉积介电层；

图案化所述介电层以暴露所述导通孔；

在所述介电层上方形成第一掩模层，所述第一掩模层在所述导通孔上方具有第一图案；

在所述第一掩模层的所述第一图案中镀凸块下金属(UBM)；

在所述凸块下金属和所述第一掩模层上形成第二掩模层，所述第二掩模层具有暴露所述凸块下金属的部分的第二图案；

在所述第二掩模层的所述第二图案中镀导电凸块，所述导电凸块与所述导通孔横向偏移；以及

去除所述第一掩模层和所述第二掩模层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在相同的去除工艺中去除所述第一掩模层和所述第二掩模层。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述集成电路器件和所述中介层之间形成底部填充材料。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

用模塑料包封所述集成电路器件和所述底部填充材料，所述模塑料和所述中介层是共末端的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化所述介电层形成暴露所述导通孔的第一开口，并且还包括：

在所述介电层上方和所述第一开口中沉积晶种层，所述第一掩模层形成在所述晶种层上方，所述第一图案暴露所述晶种层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述凸块下金属和所述导电凸块之间没有形成晶种层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，用第一镀工艺镀所述凸块下金属，用第二镀工艺镀所述导电凸块，所述第一镀工艺和所述第二镀工艺用相同的镀工艺参数实施。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第二掩模层的所述第二图案中的所述导电凸块上镀可回流材料。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在去除所述第一掩模层和所述第二掩模层之后，回流所述可回流材料以在所述导电凸块上形成导电连接件。

10.一种形成器件封装件的方法，包括：

在中介层上形成介电层，所述中介层包括导通孔；

在所述介电层中图案化开口；

在所述开口中并且沿着所述介电层沉积晶种层；

在所述晶种层上镀第一导电材料以形成沿着所述介电层并且穿过开口延伸的凸块下金属(UBM)，利用所述晶种层镀所述第一导电材料；

在所述第一导电材料上镀第二导电材料，以形成与所述导通孔横向偏移的导电凸块，利用所述晶种层镀所述第二导电材料，

其中，所述方法还包括：

在所述介电层上方形成第一掩模层，所述第一掩模层具有暴露所述晶种层的第一图案，所述第一导电材料镀在所述第一图案中；

在所述凸块下金属和所述第一掩模层上方形成第二掩模层，所述第二掩模层具有暴露部分所述凸块下金属的第二图案，所述第二导电材料镀在所述第二图案中。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：将集成电路器件附接至所述中介层的与所述介电层相对的侧，所述导通孔电连接至所述集成电路器件。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括：在相同的去除工艺中去除所述第一掩模层和所述第二掩模层。

13.根据权利要求10所述的方法，在镀所述第二导电材料之前，在所述凸块下金属上没有形成晶种层。