[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法

摘要

一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法，所述横向双扩散金属氧化物半导体装置包括：半导体基板具有相对的第一表面与第二表面以及第一导电类型；井区位于半导体基板的一部内；栅极结构位于半导体基板的一部上；第一掺杂区位于邻近栅极结构的一第一侧的井区层的一部内；第二掺杂区位于栅极结构的一第二侧的井区的一部内；第三掺杂区位于第一掺杂区的一部内；第四掺杂区，位于第二掺杂区的一部内；第一沟槽位于第三掺杂区、第一掺杂区、井区与半导体基板的一部中；导电接触物位于第一沟槽内；第二沟槽，位于邻近半导体基板的第二表面的一部中；第一导电层位于第二沟槽内；以及第二导电层，位于半导体基板的第二表面以及第一导电层上。

主权项

1.一种横向双扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，包括：一半导体基板，具有相对的一第一表面与一第二表面以及一第一导电类型；一井区，位于所述半导体基板的一部内，邻近所述第一表面且具有所述第一导电类型，其中所述井区以外的所述半导体基板的一电阻率介于5欧姆‑公分‑15欧姆‑公分；一栅极结构，位于所述半导体基板的所述第一表面的一部上；一第一掺杂区，位于邻近所述栅极结构的一第一侧的所述井区层的一部内，具有所述第一导电类型；一第二掺杂区，位于相对所述栅极结构的所述第一侧的一第二侧的所述井区的一部内，具有相反于所述第一导电类型的一第二导电类型；一第三掺杂区，位于所述第一掺杂区的一部内，具有所述第二导电类型；一第四掺杂区，位于所述第二掺杂区的一部内，具有所述第二导电类型；一第一沟槽，位于所述第三掺杂区、所述第一掺杂区、所述井区与所述半导体基板的一部中，其中所述第一沟槽依序穿過所述第三掺杂区、所述第一掺杂区及所述井区，且所述第一沟槽穿过所述井区邻近所述第二表面的表面；一导电接触物，位于所述第一沟槽内；一第二沟槽，位于邻近所述半导体基板的所述第二表面的一部中，其中所述第二沟槽并未穿过所述井区邻近所述第二表面的表面，并且所述第二沟槽露出所述导电接触物的一部，且所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度；一第一导电层，位于所述第二沟槽内并接触所述导电接触物，其中，所述第一导电层包覆所述导电接触物的底部及侧壁的一部；以及一第二导电层，位于所述半导体基板的所述第二表面以及所述第一导电层上。