[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种横向双扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体基板，具有相对的一第一表面与一第二表面以及一第一导电类型；

一井区，位于所述半导体基板的一部内，邻近所述第一表面且具有所述第一导电类型，其中所述井区以外的所述半导体基板的一电阻率介于5欧姆-公分-15欧姆-公分；

一栅极结构，位于所述半导体基板的所述第一表面的一部上；

一第一掺杂区，位于邻近所述栅极结构的一第一侧的所述井区层的一部内，具有所述第一导电类型；

一第二掺杂区，位于相对所述栅极结构的所述第一侧的一第二侧的所述井区的一部内，具有相反于所述第一导电类型的一第二导电类型；

一第三掺杂区，位于所述第一掺杂区的一部内，具有所述第二导电类型；

一第四掺杂区，位于所述第二掺杂区的一部内，具有所述第二导电类型；

一第一沟槽，位于所述第三掺杂区、所述第一掺杂区、所述井区与所述半导体基板的一部中，其中所述第一沟槽依序穿過所述第三掺杂区、所述第一掺杂区及所述井区，且所述第一沟槽穿过所述井区邻近所述第二表面的表面；

一导电接触物，位于所述第一沟槽内；

一第二沟槽，位于邻近所述半导体基板的所述第二表面的一部中，其中所述第二沟槽并未穿过所述井区邻近所述第二表面的表面，并且所述第二沟槽露出所述导电接触物的一部，且所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度；

一第一导电层，位于所述第二沟槽内并接触所述导电接触物，其中，所述第一导电层包覆所述导电接触物的底部及侧壁的一部；以及

一第二导电层，位于所述半导体基板的所述第二表面以及所述第一导电层上。

2.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，所述第一导电类型为P型而所述第二导电类型为N型，或所述第一导电类型为N型而所述第二导电类型为P型。

3.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，所述第三掺杂区为一源极区，而所述第四掺杂区为一漏极区。

4.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，所述井区的一电阻率低于所述半导体基板的一电阻率。

5.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，所述导电接触物包括一第三导电层以及为所述第三导电层所环绕的一第四导电层。

6.一种横向双扩散金属氧化物半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基板，所述半导体基板具有相对的一第一表面与一第二表面且具有一第一导电类型；

施行一离子注入工艺，于邻近所述第一表面的所述半导体基板的一部内形成一井区，具有所述第一导电类型，其中所述井区以外的所述半导体基板的一电阻率介于5欧姆-公分-15欧姆-公分；

形成一栅极结构于所述井区的一部上；

形成一第一掺杂区于邻近所述栅极结构的一第一侧的所述井区的一部内，具有所述第一导电类型；

形成一第二掺杂区于相对所述栅极结构的所述第一侧的一第二侧的所述井区的一部内，具有相反于所述第一导电类型的一第二导电类型；

形成一第三掺杂区于所述第一掺杂区的一部内，具有所述第二导电类型；

形成一第四掺杂区于所述第二掺杂区的一部内，具有所述第二导电类型；

形成一第一沟槽于所述第三掺杂区、所述第一掺杂区、所述井区及所述半导体基板的一部中，其中所述第一沟槽依序穿過所述第三掺杂区、所述第一掺杂区及所述井区，且所述第一沟槽穿过所述井区邻近所述第二表面的表面；

形成一导电接触物于所述第一沟槽内；

自所述半导体基板的所述第二表面以薄化所述半导体基板；

于薄化所述半导体基板之后，形成一第二沟槽于邻近所述半导体基板的所述第二表面的一部内，该第二沟槽并未穿过所述井区邻近所述第二表面的表面，并且所述第二沟槽露出所述导电接触物的一部，且所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度；

形成一第一导电层于所述第二沟槽内，其中，所述第一导电层包覆所述导电接触物的底部及侧壁的一部；以及

形成一第二导电层于所述半导体基板的所述第二表面与所述第一导电层上。