[发明专利]不对称瞬态电压抑制器装置以及形成方法在审
| 申请号： | 201811389013.7 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109817726A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·阿兰·皮特 | 申请（专利权）人： | 力特有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 美国伊利诺伊州芝加哥希*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种瞬态电压抑制(TVS)装置可以包括形成在衬底中的衬底基底，所述衬底基底包括第一导电类型的半导体。所述TVS装置还可以包括外延层，所述外延层包括第一厚度，并且在所述衬底的第一例上设置在所述衬底基底上。所述外延层可以包括：第一外延部分，所述第一外延部分包括所述第一厚度，并且是由第二导电类型的半导体形成；以及第二外延部分，所述第二外延部分包括上部区，所述上部区形成为具有所述第二导电类型，并且具有小于所述第一厚度的第二厚度。埋置扩散区可以设置在所述第二外延区中的所述外延层的下部部分中，所述埋置扩散区是由所述第一导电类型的半导体形成，其中所述第一部分与所述第二部分的所述上部区电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 衬底基 第一导电类型 半导体形成 导电类型 扩散区 衬底 埋置 瞬态电压抑制器 瞬态电压抑制 不对称 电隔离 外延区 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种瞬态电压抑制(TVS)装置，所述装置包括：形成在衬底中的衬底基底，所述衬底基底包括第一导电类型的半导体；以及外延层，所述外延层包括第一厚度，并且在所述衬底的第一例上设置在所述衬底基底上，所述外延层还包括：第一外延部分，所述第一外延部分包括所述第一厚度，并且是由第二导电类型的半导体形成；第二外延部分，所述第二外延部分包括上部区，所述上部区形成为具有所述第二导电类型，并且具有小于所述第一厚度的第二厚度，其中埋置扩散区设置在所述第二外延区中的所述外延层的下部部分中，所述埋置扩散区是由所述第一导电类型的半导体形成，并且其中所述第一部分与所述第二部分的所述上部区电隔离。
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