[发明专利]铜柱凸点结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811385499.7 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111199946A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出一种铜柱凸点结构及其制造方法，涉及半导体生产技术领域，结构包括：具有金属焊盘的半导体器件；设置于金属焊盘上的铜柱；具有U形截面的金属阻挡层，位于铜柱上金属阻挡层的中间部覆盖铜柱的顶面，U形截面的开口朝向远离铜柱的方向，其中金属阻挡层位于U形截面的侧边的周边部包括由金属阻挡层的中间部一体延伸并往远离铜柱的方向曲折形成进而突出于顶面的挡墙；位于铜柱上并填充于U形截面内的焊料层。本发明提供的技术方案通过设置具有U形截面的金属阻挡层，并在U形截面内填充焊料层，这样，金属阻挡层将焊料层的侧边包裹住，可以改善爬锡时造成锡量不足导致的非润湿的问题或者焊锡量太多导致的焊锡桥接问题。 | ||
| 搜索关键词： | 铜柱凸点 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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