[发明专利]一种具有保护层和异质结二极管的碳化硅槽型场氧功率MOS器件

摘要

本发明公开了一种具有保护层和异质结二极管的碳化硅槽型场氧功率MOS器件，一方面在常规的槽型场氧器件基础上，采用槽型栅电极和槽型源电极共用P型保护层，能有效降低元胞宽度，从而有效降低器件在开态时候的导通电阻；另一方面采用异质结肖特基二极管结构，即多晶硅与碳化硅直接接触，在降低器件制造成本的同时，消除由于肖特基金属退火温度差引起的肖特基势垒不可控的可靠性问题，从而达到降低具有二极管结构的碳化硅槽型场氧器件的工艺制造难度，缓解MOS器件击穿电压与导通电阻之间的问题的目的。

主权项

1.一种具有保护层和异质结二极管的碳化硅槽型场氧功率MOS器件，所述MOS器件从下往上依次包括漏极金属(11)、N型衬底层(1)、N型漂移区(2)、N型载流子扩散区(3)、P型沟道层(4)、源极金属(10)，其特征在于，设置P保护层(9)、N型源区(5)、槽型栅电极以及槽型源电极，所述P保护层(9)设置于槽型栅电极和槽型源电极下方，所述槽型栅电极和所述槽型源电极共用所述P保护层(9)，所述槽型源极采用异质结二极管结构。