[发明专利]一种返抛硅片金属膜层的剥离方法在审
| 申请号： | 201811344395.1 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109461653A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 顾臻炜;沈思情;孙强;徐伟;张俊宝;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司;重庆超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;C23F1/16 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201617 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅返抛片金属膜层的剥离方法，该方法包括：将含有金属膜层的硅返抛片在第一清洗液中浸泡；将所述硅返抛片置于第二清洗液浸泡；将所述硅返抛片浸入清洗剂溶液中超声清洗；将所述硅返抛片进行去离子水溢流超声清洗；将所述硅返抛片甩干；其中，所述第一清洗液包括HF与HCl；所述第二清洗液包括HCl与H2O2。本发明实施例提供的技术方案，通过上述清洗工艺，大大缩短了反应时间，提升了生产效率，同时改善了金属膜层剥离后硅返抛片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜层 清洗液 超声清洗 剥离 清洗剂溶液 清洗液浸泡 浸入 清洗工艺 去离子水 生产效率 硅片 良率 甩干 溢流 浸泡 | ||
【主权项】：
1.一种硅返抛片金属膜层的剥离方法，其特征在于，包括：将含有金属膜层的硅返抛片在第一清洗液中浸泡；将所述硅返抛片置于第二清洗液浸泡；将所述硅返抛片浸入清洗剂溶液中超声清洗；将所述硅返抛片进行去离子水溢流超声清洗；将所述硅返抛片甩干；其中，所述第一清洗液包括HF与HCl；所述第二清洗液包括HCl与H2O2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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