[发明专利]薄膜晶体管的制备方法、阵列基板及液晶显示面板有效
| 申请号： | 201811344322.2 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109616419B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 王帅毅 | 申请（专利权）人： | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/445 | 分类号： | H01L21/445;H01L21/34;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/786;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 黄溪;刘芳 |
| 地址： | 610200 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法、阵列基板及液晶显示面板。薄膜晶体管的制备方法包括以下步骤：在栅极层上形成β型聚偏氟乙烯的第一绝缘层；在所述β型聚偏氟乙烯的第一绝缘层上形成铟镓锌氧化物半导体层；在所述铟镓锌氧化物半导体层上形成源极和漏极；在所述源极和漏极上形成绝缘保护层。本发明能够提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 绝缘层 液晶显示面板 铟镓锌氧化物 聚偏氟乙烯 半导体层 阵列基板 漏极 源极 绝缘保护层 栅极层 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在栅极层上形成β型聚偏氟乙烯的第一绝缘层；在所述β型聚偏氟乙烯的第一绝缘层上形成铟镓锌氧化物半导体层；在所述铟镓锌氧化物半导体层上形成源极和漏极；在所述源极和漏极上形成绝缘保护层；所述在栅极层上形成β型聚偏氟乙烯的第一绝缘层包括：用N，N‑二甲基甲酰胺作为溶剂配制浓度为10％～30％的α型聚偏氟乙烯、SiO2、SiNx均匀共混溶液，将所述共混溶液涂布至所述栅极层上，然后在50～150℃真空干燥30min～60min成膜；其中，所述共混溶液中α型聚偏氟乙烯、SiO2、SiNx的质量百分比例为(60～100):(0～20):(0～30)，所述膜的厚度为150nm‑350nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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