[发明专利]一种元胞结构及其制备方法、功率半导体器件及电子设备在审
| 申请号： | 201811340375.7 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN111180405A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 曾丹;史波;肖婷;何昌 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/00;H01L29/06;H01L29/739;H01L21/48;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种元胞结构及其制备方法、功率半导体器件及电子设备，该元胞结构基材，设置在所述基材上的多个单排排列的沟槽，其中，至少部分所述沟槽内设置有横向加强侧壁；且所述沟槽的侧壁上设置有用于将被所述横向加强侧壁封堵的沟槽与其他沟槽导电连通的缺口。通过在形成的沟槽中部分增加横向加强侧壁来增强整个元胞结构的整体强度，并且通过设置的缺口使得沟槽导电连通，从而可以在开设比较密集的沟槽，提高功率半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 及其 制备 方法 功率 半导体器件 电子设备 | ||
【主权项】：
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