[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811324989.6 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111162124B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 郑大燮;李茂;陈德艳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：基底，基底内形成有相邻的阱区和漂移区；栅极结构，位于阱区和漂移区交界处的基底上；源区，位于栅极结构一侧的阱区内；体区，位于阱区内，且体区位于源区远离栅极结构的一侧；漏区，位于栅极结构另一侧的漂移区内；第一接触孔插塞，位于基底上，且与体区、源区或者栅极结构电连接；第一金属层，位于第一接触孔插塞上且与第一接触孔插塞电连接，第一金属层向漏区方向延伸。增加了加载电位的导体面积，因此，使第一金属层与漂移区之间的电场线分布均匀，使得漂移区中的电场强度峰值数量增加，且产生电场强度峰值的位置在漂移区中分布较均匀，半导体结构不易发生击穿，提高了半导体结构的电源击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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