[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：基底，基底内形成有相邻的阱区和漂移区；栅极结构，位于阱区和漂移区交界处的基底上；源区，位于栅极结构一侧的阱区内；体区，位于阱区内，且体区位于源区远离栅极结构的一侧；漏区，位于栅极结构另一侧的漂移区内；第一接触孔插塞，位于基底上，且与体区、源区或者栅极结构电连接；第一金属层，位于第一接触孔插塞上且与第一接触孔插塞电连接，第一金属层向漏区方向延伸。增加了加载电位的导体面积，因此，使第一金属层与漂移区之间的电场线分布均匀，使得漂移区中的电场强度峰值数量增加，且产生电场强度峰值的位置在漂移区中分布较均匀，半导体结构不易发生击穿，提高了半导体结构的电源击穿电压。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

在功率集成电路的发展中，为了将功率开关以及控制电路整合在一起，用于制作单片集成电路的横向二次扩散金属氧化物半导体(lateral double diffusion MOS，LDMOS)制程，为一主流趋势。LDMOS制程是于半导体基板的表面进行平面扩散(planardiffusion)以便形成横向的主要电流路径，由于LDMOS是以典型的IC制程所制造，因此控制电路与LDMOS可以整合在一个单片电源IC上，LDMOS制程采用表面电场缩减(reducedsurface electric field，RESURE)技术与低厚度外延(BPI)或N型阱区(N-well)，可以达到高电压与低导通阻抗的目标。

LDMOS器件为近似于传统FET器件的一种场效应晶体管器件(FET)，包括在半导体衬底中形成被沟道区域所分隔开来的源/漏极区域，并且在沟道区域上方形成栅电极，然而，LDMOS器件与传统FET器件不同的是传统的FET器件中源/漏极区域分别位于栅电极两侧，且以栅电极相对称，而LDMOS器件中的漏极区域比源极区域更远离栅电极，并且漏极区域还形成于用以分隔开沟道区域与漏极区域的掺杂阱(具有与漏极区域相同极性)中。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，优化半导体结构的电学性能。

为解决上述问题，本发明实施例还提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底内形成有相邻的阱区和漂移区；栅极结构，位于所述阱区和漂移区交界处的基底上；源区，位于所述栅极结构一侧的阱区内；体区，位于所述阱区内，且所述体区位于所述源区远离所述栅极结构的一侧；漏区，位于所述栅极结构另一侧的漂移区内；第一接触孔插塞，位于所述基底上，且与所述体区、源区或者栅极结构电连接；第一金属层，位于所述第一接触孔插塞上且与所述第一接触孔插塞电连接，所述第一金属层向所述漏区方向延伸。

相应的，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底内形成有相邻接的阱区和漂移区；在所述阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构；在所述栅极结构一侧的所述阱区内形成源区和体区，所述体区位于所述源区远离所述栅极结构的一侧；在所述栅极结构另一侧的所述漂移区内形成漏区；在所述体区、源区或者栅极结构上形成第一接触孔插塞；在所述第一接触孔插塞上形成与所述第一接触孔插塞电连接的第一金属层，所述第一金属层向所述漏区方向延伸。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例所述第一金属层与所述第一接触孔插塞的电连接，所述第一接触孔插塞的另一端与所述体区、源区或者栅极结构电连接，所述第一金属层与所述体区、源区、或者栅极结构电位相同，因此漂移区与所述体区、源区、或者栅极结构存在电位差。因为所述第一金属层向漏区延伸，增加了加载电位的导体面积，因此，使所述第一金属层与所述漂移区之间的电场线分布均匀，使得漂移区中的电场强度峰值数量增加，且产生电场强度峰值的位置在漂移区中分布较为均匀，从而使漂移区中碰撞离化强度降低，所述半导体结构不易发生击穿，因此提高了所述半导体结构的电源击穿电压。