[发明专利]半导体结构及用于制造半导体结构的方法有效
| 申请号： | 201811324752.8 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109755270B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·克尔尼斯基;黄胜煌;庄学理;蔡俊佑;王宏烵 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露提供一种半导体结构及用于制造半导体结构的方法。所述方法包含：形成第N金属层；在所述第N金属层上方形成多个磁性隧道结MTJ，所述多个MTJ具有混合间距及混合大小的至少一者；在所述多个MTJ的各者上方形成向上凹入的顶部电极通路；及在所述多个MTJ上方形成第N+M金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括：存储器区，其包括：第N金属层；多个磁性隧道结MTJ，其在所述第N金属层上方，所述多个MTJ具有混合间距及混合大小的至少一者；顶部电极通路，其在所述多个MTJ的各者上方向上凹入；及第N+M金属层，其在所述多个MTJ上方，其中N是大于或等于1的整数，且M是大于或等于1的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
