[发明专利]半导体结构和相关联的制造方法有效
申请号: | 201811324426.7 | 申请日: | 2018-11-08 |
公开(公告)号: | CN109755267B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 刘丙寅;林勇志;陈祈铭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L23/528;H01L23/522;H01L21/768;H01L23/488 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蒋林清 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例揭露一种半导体结构和相关联的制造方法。所述半导体结构包含:第一发光二极管LED层,其包含第一色彩类型的第一LED,所述第一LED层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;第二LED层,其在所述第一LED层上方,所述第二LED层包含第二色彩类型的第二LED,且所述第二LED层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;和第三LED层,其在所述第二LED层上方,所述第三LED层包含第三色彩类型的第三LED,且所述第三LED层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;其中所述第一色彩类型、所述第二色彩类型和所述第三色彩类型彼此不同。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 相关 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体结构,其包括:第一发光二极管LED层,其包含第一色彩类型的第一LED,所述第一LED层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;第二LED层,其在所述第一LED层上方,所述第二LED层包含第二色彩类型的第二LED,且所述第二LED层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;第三LED层,其在所述第二LED层上方,所述第三LED层包含第三色彩类型的第三LED,且所述第三LED层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;以及透明填料,其在所述第一LED层、所述第二LED层和所述第三LED层上方,其中所述透明填料的顶表面与所述第一LED层的所述第二侧之间的距离大于所述透明填料的所述顶表面与所述第二LED层的所述第二侧之间的距离,且所述透明填料的所述顶表面与所述第二LED层的所述第二侧之间的所述距离大于所述透明填料的所述顶表面与所述第三LED层的所述第二侧之间的距离;其中所述第一色彩类型、所述第二色彩类型和所述第三色彩类型彼此不同,且所述第一LED、所述第二LED和所述第三LED彼此横向隔开,使得从俯视图观察,所述第一LED、所述第二LED和所述第三LED彼此不重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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