[发明专利]金属-氧化物-金属电容结构有效
| 申请号： | 201811323365.2 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111128952B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 陈骏盛 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属‑氧化物‑金属(MOM)电容结构，其包含一第一金属层与一第二金属层。第一金属层包含多个第一金属条与第二金属条，沿着一第一方向延伸。第一金属层还包括多个第一金属侧凸与多个第二金属侧凸沿着第二方向延伸，各第一金属侧凸分别连接于其中一个第一金属条，各第二金属侧凸分别连接于其中一个第二金属条。第二金属层包含多个第三金属条与第四金属条沿着该第一方向延伸，并包含第三金属侧凸与第四金属侧凸。各第三金属侧凸分别连接于其中一个第三金属条，各第四金属侧凸分别连接于其中一个第四金属条。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 电容 结构 | ||
【主权项】：
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