[发明专利]用于高频应用的低K介电组合物

摘要

本发明提供用于高频应用的低K介电组合物。低K值、高Q值、低烧制的介电材料和形成烧制的介电材料的方法。介电材料可以在950℃以下或1100℃以下烧制，在10GHz至30GHz下K值小于约8，在10GHz至30GHz下Q值大于500或大于1000。在烧制之前，介电材料包含固体部分，该固体部分包含二氧化硅粉末和玻璃组分。玻璃组分包含SiO2、B2O3、Al2O3、K2O、Na2O、Li2O和F。Li2O+Na2O+K2O的总量为玻璃组分的0.1摩尔％至30摩尔％。二氧化硅粉末可以是非晶或结晶的。

主权项

1.一种烧结的介电材料，其在烧结之前包含固体部分，所述固体部分包含10重量％至99重量％的D‑50粒度为0.5μm至30μm的二氧化硅粉末和1重量％至90重量％的玻璃组分，所述玻璃组分包含：50摩尔％至90摩尔％的SiO₂，0.1摩尔％至35摩尔％的B₂O₃，0.1摩尔％至25摩尔％的Al₂O₃，0.1摩尔％至10摩尔％的K₂O，0.1摩尔％至10摩尔％的Na₂O，0.1摩尔％至20摩尔％的Li₂O，0.1摩尔％至30摩尔％的F，和Li₂O+Na₂O+K₂O的总量为玻璃组分的0.1摩尔％至30摩尔％，其中，当在低于1100℃下烧结时，所述烧结的介电材料具有低于8的介电常数和高于500的Q值。