[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201811317194.2 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109755137A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 进藤正典 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。抑制外部连接端子内的空隙的产生。准备具有电极的半导体基板。形成与电极连接的布线。形成具有第一开口部的第一绝缘膜，该第一开口部使布线局部露出。形成由与布线的从第一开口部露出的部分连接，并具有与第一开口部对应的凹部的导电体构成的基座部。在基座部的表面形成焊锡膜。通过第一热处理使构成焊锡膜的焊锡熔融，并利用熔融的焊锡填充凹部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 开口部 布线 焊锡膜 基座部 外部连接端子 半导体基板 热处理 表面形成 电极连接 焊锡熔融 填充凹部 导电体 绝缘膜 电极 凹部 焊锡 熔融 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包含：准备具有电极的半导体基板的工序；形成与上述电极连接的布线的工序；形成具有使上述布线局部露出的第一开口部的第一绝缘膜的工序；形成由与上述布线的从上述第一开口部露出的部分连接，并具有与上述第一开口部对应的凹部的导电体构成的基座部的工序；在上述基座部的表面形成焊锡膜的工序；以及通过第一热处理使构成上述焊锡膜的焊锡熔融，并通过熔融的焊锡填充上述凹部的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
