[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包含：

准备具有电极的半导体基板的工序；

形成与上述电极连接的布线的工序；

形成具有使上述布线局部露出的第一开口部的第一绝缘膜的工序；

形成由与上述布线的从上述第一开口部露出的部分连接，并具有与上述第一开口部对应的凹部的导电体构成的基座部的工序；

在上述基座部的表面形成焊锡膜的工序；以及

通过第一热处理使构成上述焊锡膜的焊锡熔融，并通过熔融的焊锡填充上述凹部的工序。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，还包含：

在上述第一热处理后，形成覆盖上述焊锡膜的表面的焊锡膏的工序；以及

通过第二热处理，使上述焊锡膏以及构成上述焊锡膜的焊锡熔融，形成与上述基座部连接的外部连接端子的工序。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，

上述焊锡膜通过电镀处理形成，

上述焊锡膏通过印刷形成，

上述焊锡膜以及上述基座部埋设于上述焊锡膏的内部。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，

上述焊锡膜通过使用具备开口部的第一掩模，以上述焊锡膜的表面的高度位置不超过上述第一掩模的表面的高度位置的厚度形成，上述开口部内含上述第一开口部。

5.根据权利要求3或4所述的制造方法，其中，

上述焊锡膏通过使用内含上述基座部以及上述焊锡膜的第二掩模的印刷而形成。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的制造方法，其中，

在上述第一热处理中，在上述焊锡膜和上述基座部的界面形成包含上述基座部的材料和上述焊锡膜的材料的合金层。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，

在将上述焊锡膜成膜时的体积设为V、将上述凹部的体积设为A、将上述合金层的厚度设为t、将上述基座部与上述焊锡膜的接触面的面积设为S时，满足：V＞A+(t×S)。

8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其中，

上述合金层遍及上述基座部的整个区域，并被上述焊锡膜覆盖。

9.根据权利要求1～8中任意一项所述的制造方法，其中，

在上述第一热处理后，上述焊锡膜的表面是平坦的。

10.根据权利要求1～9中任意一项所述的制造方法，其中，

还包含形成具有使上述电极局部露出的第二开口部的第二绝缘膜的工序，

上述布线形成于上述第二绝缘膜的表面，与上述电极的从上述第二开口部露出的部分连接。

11.一种半导体装置，包含：

半导体基板，具有电极；

布线，与上述电极连接；

第一绝缘膜，具有使上述布线局部露出的第一开口部；

基座部，由与上述布线的从上述第一开口部露出的部分连接，并具有与上述第一开口部对应的凹部的导电体构成；以及

焊锡膜，设置于上述基座部的表面，填充上述凹部。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

在上述焊锡膜和上述基座部的界面，具有包含上述基座部的材料和上述焊锡膜的材料的合金层。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，

在将上述焊锡膜成膜时的体积设为V、将上述凹部的体积设为A、将上述合金层的厚度设为t、将上述基座部与上述焊锡膜的接触面的面积设为S时，满足：V＞A+(t×S)。

14.根据权利要求12或13所述的半导体装置，其中，

上述合金层遍及上述基座部的整个区域，并被上述焊锡膜覆盖。