[发明专利]绝缘体上半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811310851.0 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN111146278B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 胡金节 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘体上半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供绝缘体上半导体基底；在半导体层上形成图案化的多晶硅结构；体引出区光刻版光刻并掺杂形成第一导电类型离子掺杂区，源漏区光刻版光刻并掺杂形成源区、漏区及掺杂多晶硅；热扩散使第一导电类型离子掺杂区扩散形成体引出区。本发明的多晶硅结构不会存在功函数差异，因此寄生沟道的开启电压和主沟道区一致，可以避免窄沟器件出现hump现象。体引出区在掺杂时掺杂窗口离体区隔离多晶硅合适的距离，也能保证有源区内的杂质能够扩散到poly边界，以保证较好的体区引出效果。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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