[发明专利]绝缘体上半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种绝缘体上半导体器件的制造方法，包括：

提供绝缘体上半导体基底，所述基底包括衬底、衬底上的埋氧层及埋氧层上的半导体层；

在所述半导体层上形成图案化的多晶硅结构，包括多晶硅栅和体区隔离多晶硅；

采用体引出区光刻版光刻形成体区掺杂窗口，通过所述掺杂窗口向所述半导体层掺杂第一导电类型的离子，形成第一导电类型离子掺杂区，所述掺杂窗口在所述半导体层表面的正投影距所述体区隔离多晶硅一预设距离；所述预设距离大于零且小于0.15微米；

采用源漏区光刻版光刻形成源漏区掺杂窗口，所述源漏区掺杂窗口与所述体区隔离多晶硅部分重叠，通过所述源漏区掺杂窗口向所述半导体层和体区隔离多晶硅掺杂第二导电类型的离子，形成源区、漏区及掺杂多晶硅；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；

热扩散使所述第一导电类型离子掺杂区扩散形成体引出区，所述体引出区延伸至所述体区隔离多晶硅下方。

2.根据权利要求1所述的绝缘体上半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多晶硅栅沿第一方向延伸，所述源区位于所述多晶硅栅的一侧，所述漏区位于所述多晶硅栅的另一侧，所述体区隔离多晶硅沿第二方向延伸，所述第一方向与第二方向垂直，所述多晶硅栅与所述体区隔离多晶硅垂直相交。

3.根据权利要求2所述的绝缘体上半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多晶硅结构为T型，所述体区隔离多晶硅为T的一横，所述多晶硅栅为T的一竖，所述源区和漏区位于所述体区隔离多晶硅连接多晶硅栅的一侧，所述体引出区位于另一侧。

4.根据权利要求2所述的绝缘体上半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多晶硅结构为H型，所述多晶硅栅为H的一横；所述体区隔离多晶硅包括第一体区隔离多晶硅和第二体区隔离多晶硅，各为H的一竖，所述源区和漏区位于所述第一体区隔离多晶硅和第二体区隔离多晶硅之间；所述体引出区包括位于所述第一体区隔离多晶硅背离所述源区和漏区一侧的第一体引出区，和位于所述第二体区隔离多晶硅背离所述源区和漏区一侧的第二体引出区。

5.根据权利要求1所述的绝缘体上半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述半导体层上形成图案化的多晶硅结构的步骤之前，还包括通过隔离结构界定出有源区的步骤；所述通过隔离结构界定出有源区的步骤之后，还包括光刻并掺杂第一导电类型的离子，从而在有源区形成第一导电类型阱区的步骤。

6.根据权利要求1所述的绝缘体上半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述半导体层上形成图案化的多晶硅结构的步骤之前，还包括在所述半导体层上形成栅氧化层的步骤；所述在所述半导体层上形成图案化的多晶硅结构的步骤，是淀积多晶硅然后光刻并刻蚀所述多晶硅形成所述多晶硅栅和体区隔离多晶硅。

7.根据权利要求1所述的绝缘体上半导体器件的制造方法，其特征在于，所述绝缘体上半导体器件是绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应管。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的绝缘体上半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。