[发明专利]功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811294910.X | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110010671B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·A·叶季纳科;克里斯托夫·L·雷克塞尔;马克·L·赖尼希默;普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺;李在吉;哈姆扎·耶尔马兹;尹钟晩;德韦恩·S·赖希尔;潘南西;罗德尼·S·里德利;哈罗德·海登赖希 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/872;H01L29/04;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 杨雅;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率器件，包括：半导体区域；设置在半导体区域中的有源区；包围有源区的终端区；多个第一导电型支柱；以及多个第二导电型支柱，多个第一导电型支柱和多个第二导电型支柱交替地被设置在有源区和终端区内，多个第二导电型支柱中的每个支柱包括：第二导电型的第一注入区域；第二导电型的第二注入区域；沟槽；以及设置在沟槽中的第二导电型半导体材料，沟槽设置在第二导电型的第二注入区域之上，并与第二导电型的第二注入区域垂直对准，多个第二导电型支柱的包括在有源区内的支柱的横向宽度大于多个第二导电型支柱的包括在终端区内的支柱的横向宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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