[发明专利]功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811294910.X | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110010671B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·A·叶季纳科;克里斯托夫·L·雷克塞尔;马克·L·赖尼希默;普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺;李在吉;哈姆扎·耶尔马兹;尹钟晩;德韦恩·S·赖希尔;潘南西;罗德尼·S·里德利;哈罗德·海登赖希 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/872;H01L29/04;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 杨雅;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种功率器件，包括：
半导体区域；
设置在所述半导体区域中的有源区；
设置在所述半导体区域中并且包围所述有源区的终端区；
多个第一导电型支柱；以及
设置在所述半导体区域中的多个第二导电型支柱，所述多个第一导电型支柱和所述多个第二导电型支柱交替地被设置在所述有源区和所述终端区内，所述多个第二导电型支柱中的每个支柱包括：
第二导电型的第一注入区域；
第二导电型的第二注入区域，所述第二导电型的第二注入区域设置在所述第二导电型的第一注入区域之上，并与所述第二导电型的第一注入区域垂直对准；
沟槽；以及
设置在所述沟槽中的第二导电型半导体材料，所述沟槽设置在所述第二导电型的第二注入区域之上，并与所述第二导电型的第二注入区域垂直对准，其中，在所述有源区内的所述多个第二导电型支柱中的多个第二导电型的第一注入区域的至少一个第一注入区域在横向上比在所述终端区内的所述多个第二导电型支柱中的多个第二导电型的第一注入区域的至少一个第一注入区域更宽，并且在所述有源区内的所述多个第二导电型支柱中的所述多个第二导电型的第一注入区域的至少一个第一注入区域在横向上比在所述有源区内的所述多个第二导电型支柱中的多个第二导电型的第二注入区域更宽。
2.根据权利要求1所述的功率器件，进一步包括：
设置在衬底上的第一导电型的第一外延层；
设置在所述第一外延层之上的第一导电型的第二外延层；以及
设置在所述第二外延层之上的第一导电型的第三外延层；
所述第二导电型的第一注入区域设置在所述第一外延层和所述第二外延层中；以及
所述第二导电型的第二注入区域设置在所述第二外延层和所述第三外延层中；
其中，
所述沟槽延伸到所述第三外延层内并且在所述第三外延层内终止；
所述多个第二导电型支柱在到达所述衬底之前终止；以及
所述第一外延层、所述第二外延层和所述第三外延层各自具有比所述衬底的掺杂浓度更低的掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二导电型的第一注入区域的形状不同于所述第二导电型的第二注入区域的形状。
4.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二导电型的第一注入区域与所述第二导电型的第二注入区域接触。
5.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二导电型的第二注入区域与所述第二导电型的第一注入区域垂直隔开。
6.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述多个第一导电型支柱中的每个支柱包括：
第一导电型的第一注入区域；以及
第一导电型的第二注入区域，所述第一导电型的第二注入区域设置在所述第一导电型的第一注入区域之上，并与所述第一导电型的第一注入区域垂直对准；
其中，所述第一导电型的第一注入区域的形状不同于所述第一导电型的第二注入区域的形状。
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