[发明专利]一种用于电嘴的半导体部件制作方法有效
| 申请号： | 201811290691.8 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109599744B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李慧;尚振杰;刘涛;刘宝林 | 申请（专利权）人： | 四川泛华航空仪表电器有限公司 |
| 主分类号： | H01T13/02 | 分类号： | H01T13/02;F02C7/266 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610500 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于电嘴的半导体部件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：将碳化硅半导体（1）、烧结复合材料（2）、高铝瓷（3）在常温下，按碳化硅半导体（1）在上、烧结复合材料（2）居中、高铝瓷（3）在下的组合顺序，进行初步成型，形成待烧结组件；将待烧结组件，在1800℃热等静压烧结两小时，制成半导体部件。本发明通过将半导体和绝缘体整体烧结为半导体部件，降低了加工难度；通过在碳化硅半导体（1）与高铝瓷（3）之间加入烧结复合材料（2），以及通过减小碳化硅半导体厚度（1），降低了能量损耗；解决了现有技术中用于电嘴的半导体部件加工难度大、能量损耗大的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 部件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于电嘴的半导体部件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：将碳化硅半导体（1）、烧结复合材料（2）、高铝瓷（3）在常温下，按碳化硅半导体（1）在上、烧结复合材料（2）居中、高铝瓷（3）在下的组合顺序，进行初步成型，形成待烧结组件；将待烧结组件，在1800℃热等静压烧结两小时，制成半导体部件。
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