[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在形成有3D存储器件的半导体衬底中形成有贯穿的硅通孔，在硅通孔的周围、衬底中形成有反掺杂区，该反掺杂区域衬底具有相反的掺杂类型，这样，在衬底与该反掺杂区形成PN结，该PN结形成在硅通孔与存储器件的选通管器件之间形成隔离，有效抑制硅通孔施加高压进行存储器件操作时引起的耦合效应，从而，避免对选通管器件性能造成影响，同时，该方法无需增加额外的隔离区域，不会造成芯片尺寸的增加，布局灵活且工艺实现的成本低。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面上形成有存储器件；贯穿衬底的硅通孔；反掺杂区，设置于所述衬底中且位于所述硅通孔与所述存储器件之间，所述反掺杂区与所述硅通孔及所述存储器件之间具有间隔；与所述反掺杂区电连接的衬垫，所述衬垫用于接入偏压。