[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面上形成有存储器件；

贯穿衬底的硅通孔；

反掺杂区，设置于所述衬底中且位于所述硅通孔与所述存储器件之间，所述反掺杂区与所述硅通孔及所述存储器件之间具有间隔；

与所述反掺杂区电连接的衬垫，所述衬垫用于接入偏压。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述反掺杂区为条形，所述硅通孔所在区域和所述存储器件所在区域分别位于条形的反掺杂区两侧。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述反掺杂区位于每个或多个硅通孔的周围。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述反掺杂区为条形、块形、弧形或环形。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型，所述反掺杂区的掺杂类型为N型。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述反掺杂区的掺杂粒子为As，掺杂注入能量范围为50-150keV，掺杂注入剂量范围为1.5e15-1.5e16。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括另一半导体衬底，所述另一半导体衬底上形成有MOS器件，所述另一半导体衬底固定于所述第二表面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述反掺杂区位于所述第二表面的衬底中。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述存储器件包括栅极层与绝缘层交替层叠的堆叠层、穿过所述堆叠层的存储单元串以及所述存储单元串之下的选通管器件。

10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有存储器件；

从所述第二表面形成贯穿衬底的硅通孔；以及

在所述衬底中形成反掺杂区，其中，所述反掺杂区位于所述硅通孔与所述存储器件之间，所述反掺杂区与所述硅通孔及所述存储器件之间具有间隔；

形成与所述反掺杂区电连接的衬垫，所述衬垫用于接入偏压。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述反掺杂区为条形，所述硅通孔和所述存储器件分别位于条形的反掺杂区两侧。

12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述反掺杂区位于每个或多个硅通孔的周围。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述反掺杂区为条形、弧形或环形。

14.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型，所述反掺杂区的掺杂类型为N型。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，通过离子注入形成所述反掺杂区，所述离子注入的掺杂粒子为As，掺杂注入能量范围为50-150keV，掺杂注入剂量范围为1.5e15-1.5e16。

16.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，还包括：

提供另一半导体衬底，所述另一半导体衬底上形成有MOS器件；

将所述另一半导体衬底固定于所述第二表面。

17.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底中形成反掺杂区，包括：从所述第二表面在所述衬底中形成反掺杂区。

18.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述存储器件包括栅极层与绝缘层交替层叠的堆叠层、穿过所述堆叠层的存储单元串以及所述存储单元串之下的选通管器件。