[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201811275895.4 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109727942A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 小汲泰一 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明抑制由构成再布线的导电部件的局部电池效果所造成的过度的蚀刻。半导体装置具备布线，该布线包括设置在半导体基板上的第一导电部件、和设置在第一导电部件的表面且离子化倾向比第一导电部件小的第二导电部件。第一导电部件的、第二导电部件侧的第一面的宽度比第一导电部件的、上述半导体基板侧的第二面的宽度窄。上述第二导电部件的宽度比第一导电部件的上述第一面中的宽度宽且比第一导电部件的第二面中的宽度窄。 | ||
| 搜索关键词： | 导电部件 半导体装置 半导体基板 宽度比 布线 蚀刻 离子化倾向 局部电池 第二面 再布线 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具备布线，上述布线包括设置在半导体基板上的第一导电部件、和设置在上述第一导电部件的表面且离子化倾向比上述第一导电部件小的第二导电部件，上述第一导电部件在上述第二导电部件侧的第一面的宽度比上述第一导电部件在上述半导体基板侧的第二面的宽度窄，上述第二导电部件的宽度比上述第一导电部件的上述第一面的宽度宽、且比上述第一导电部件的上述第二面的宽度窄。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拉碧斯半导体株式会社，未经拉碧斯半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811275895.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
