[发明专利]3D存储器阵列中的字线桥在审

专利信息
申请号: 201811275863.4 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN109859783A 公开(公告)日: 2019-06-07
发明(设计)人: D.蒂梅高达;O.W.容格罗思;D.S.梅雅尔德;K.哈斯纳特 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C8/14 分类号: G11C8/14;G11C16/06;H01L27/11529;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11573;H01L27/11524;H01L27/11551
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 陈晓;闫小龙
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了3D存储器阵列中的字线桥。本公开内容涉及在存储器单元的相邻瓦片的字线之间提供字线桥,用以减小3D存储器阵列中的字线阶梯的数目。一种装置可以包括具有存储器单元的存储器阵列。所述存储器阵列包括第一瓦片中的存储器单元的页面的第一块以及第二瓦片中的存储器单元的页面的第二块。所述装置还可以包括多晶硅字线桥,所述多晶硅字线桥将所述第一块的第一字线耦合到所述第二块的第二字线,用于将所述第一瓦片耦合到所述第二瓦片。所述字线桥可以通过如下来被形成:在所述第一瓦片、所述第二瓦片上方以及在将所述第一瓦片连接到所述第二瓦片的多晶硅的一部分上方施加硬掩模。
搜索关键词: 瓦片 字线 存储器阵列 存储器单元 多晶硅字线 耦合到 相邻瓦片 多晶硅 硬掩模 减小 施加
【主权项】:
1.一种存储器阵列,包括:多个存储器单元;所述多个存储器单元中第一复数个存储器单元的第一瓦片,其中所述第一瓦片包括所述多个存储器单元中所述第一复数个存储器单元的第一块;所述多个存储器单元中第二复数个存储器单元的第二瓦片,其中所述第二瓦片包括所述多个存储器单元中所述第二复数个存储器单元的第二块;以及被耦合在所述多个存储器单元中所述第一复数个存储器单元的所述第一块与所述多个存储器单元中所述第二复数个存储器单元的所述第二块之间的字线桥。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811275863.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top