[发明专利]沟槽及其形成方法、电容器的制备方法及电容器在审
| 申请号： | 201811270426.3 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN111106095A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 吴娅妮;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽及其形成方法、电容器的制备方法及电容器，电容器的制造方法包括：提供初始结构，所述初始结构包括衬底层、位于所述衬底层上的绝缘层和存储节点接触塞、以及第一支撑结构层；刻蚀所述第一支撑结构层形成第一孔；在所述第一孔中形成牺牲层；在所述第一支撑结构层和所述牺牲层表面形成第二支撑结构层；刻蚀所述第二支撑结构层形成第二孔，所述牺牲层暴露于所述第二孔；去除所述牺牲层；以及依次沉积下电极层、电介质层、上电极层，形成所述电容器。本发明一实施方式的方法，通过牺牲层的设置、去除，能够降低高深宽比结构的刻蚀难度，解决由于刻蚀不足导致下接触点面积变小产生的高电阻阻抗甚至断路的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 及其 形成 方法 电容器 制备 | ||
【主权项】：
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