[发明专利]面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液在审
| 申请号： | 201811269095.1 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109233837A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王润杰;郑李辉;卢洪庆;李华平;陈文波 | 申请（专利权）人： | 苏州博洋化学股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，以重量百分比计算，包括3.2‑3.6％的草酸、5ppm‑900ppm的表面活性剂和余量的超纯水。本发明选用新型的表面活性剂，该表面活性剂降低了表面张力以达到对微晶的控制；同时没有其他任何负面作用，微观细节的控制也更优；同时无稳定泡沫存在，3‑10s完全自消泡，消除了泡沫对蚀刻的影响，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 草酸 表面活性剂 面板显示 蚀刻液 制程 重量百分比计算 蚀刻 产品良率 负面作用 稳定泡沫 超纯水 微晶 消泡 微观 | ||
【主权项】：
1.面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，其特征在于，以重量百分比计算，包括3.2‑3.6％的草酸、5ppm‑900ppm的表面活性剂和余量的超纯水。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州博洋化学股份有限公司，未经苏州博洋化学股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811269095.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：量子点荧光微球及其制备方法
- 下一篇：一种Eu
- 同类专利
- 至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻液以及蚀刻方法-201310713080.0
- 竹内秀范;夕部邦夫;冈部哲;臼井麻里 - 三菱瓦斯化学株式会社
- 2013-12-20 - 2019-09-27 - C09K13/06
- 本发明涉及至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻液以及蚀刻方法，其能够适用于包含铟、镓和氧的氧化物或者包含铟、镓、锌和氧的氧化物等至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻中。根据本发明优选的方式，通过使用包含硫酸或其盐、以及羧酸(其中，除了草酸以外)或其盐的蚀刻液，在至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻中，具有合适的蚀刻速率且残渣去除性也良好，对于布线材料的腐蚀性也小，进而即便蚀刻液中溶解的氧化物的浓度成为高浓度，也不产生析出物，并且能够维持合适的蚀刻速率。
- 用于钨字线凹进的蚀刻溶液-201910203116.8
- 葛智逵;李翊嘉;刘文达 - 弗萨姆材料美国有限责任公司
- 2019-03-18 - 2019-09-24 - C09K13/06
- 本文描述了一种适用于含钨金属和含TiN材料两者的蚀刻溶液，其包含：水；和一种或多于一种氧化剂；和选自以下的组分中的一种或多于一种：一种或多种含氟蚀刻化合物、一种或多种有机溶剂、一种或多种螯合剂、一种或多种腐蚀抑制剂和一种或多种表面活性剂。
- 铟氧化物层蚀刻剂组合物、阵列基板、其制作方法和导线-201610119104.3
- 沈庆辅;李昔准;张晌勋 - 东友精细化工有限公司
- 2016-03-02 - 2019-07-12 - C09K13/06
- 本发明涉及用于铟氧化物层的蚀刻剂组合物，并更具体地涉及包括以下化合物的用于铟氧化物层的蚀刻剂组合物：硝酸和/或亚硝酸、氯化合物、硫酸盐、环胺化合物、磷酸盐和水；制作用于液晶显示装置的阵列基板的方法；用于液晶显示装置的阵列基板；和导线。
- 蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法-201811319973.6
- 韩勋;裴相元;洪荣泽;朴宰完;李珍旭;林廷训 - 三星电子株式会社;秀博瑞殷株式会社
- 2018-11-07 - 2019-05-14 - C09K13/06
- 提供了蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法。用于蚀刻的组合物可以包括磷酸、铵类化合物、盐酸和多磷酸盐类化合物二者中的至少一种以及含硅化合物。
- 一种蚀刻膏及其制备方法-201810003680.0
- 郑文中;翁青松 - 厦门蓝科电子科技有限公司
- 2018-01-03 - 2019-05-07 - C09K13/06
- 本发明提供一种蚀刻膏，按照重量百分比计由以下组分为原料：非挥发性酸，1‑20%，水，3‑10%，水性聚氨酯增稠剂，10‑40%，流平润湿剂，0.1‑1%，消泡剂，0.1‑2%，触变剂，2‑10%，水溶性溶剂，30‑70%，颜料，0‑5%。该蚀刻膏的制备方法包括以下步骤：1）将选好的原料加入到通有冷却水的带搅拌和分散的混料机容器中；2）先在60rpm下混合3分钟；3）开启分散开关；4）在800‑1000rpm转速下分散10分钟；5）再在100‑150rpm转速下搅拌3分钟；6）制得产品。本发明提供的蚀刻膏是一种原料既简单，蚀刻效果又好的蚀刻膏。
- 蚀刻用组合物-201510415950.5
- 朴宰完;林廷训;李珍旭 - 秀博瑞殷株式公社
- 2015-07-15 - 2019-05-03 - C09K13/06
- 本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。
- 蚀刻用组合物和使用该蚀刻用组合物制造半导体器件的方法-201780055665.4
- 朴宰完;林廷训;李珍旭 - 秀博瑞殷株式公社
- 2017-12-26 - 2019-04-26 - C09K13/06
- 本发明涉及一种蚀刻用组合物，以及包括使用所述蚀刻用组合物的蚀刻工艺的制造半导体器件的方法，所述蚀刻用组合物包含第一无机酸、第一添加剂和溶剂。所述蚀刻用组合物可以使氧化物膜的蚀刻速率最小化同时选择性地去除氮化物膜，并且没有不利地影响器件特性的诸如产生粒子的问题，并且是高选择性的。
- 磷酸蚀刻剂的添加剂-201880002697.2
- 徐融;孙文斌;苏界 - 长江存储科技有限责任公司
- 2018-11-13 - 2019-04-02 - C09K13/06
- 本发明公开了用于选择性地蚀刻氮化硅到氧化硅的湿蚀刻剂和其添加剂的组合物的实施例。在一个示例中，磷酸蚀刻剂的添加剂的组合物包括抑制剂和分散剂。抑制剂可吸收在氧化硅表面上，并且能够抑制磷酸蚀刻剂对氧化硅表面的蚀刻。分散剂能够与磷酸蚀刻剂与氧化硅和氮化硅中的至少一种之间反应的副产物进行反应，并降低磷酸蚀刻剂的粘度。
- 抛光液-201610161289.4
- 谢绍俊;况金权 - 博罗县东明化工有限公司
- 2016-03-18 - 2019-02-26 - C09K13/06
- 本发明涉及一种抛光液，包括如下质量份的各组分：磷酸1020份～1360份；硫酸367份～734份；铝离子3份～30份；强氧化剂5份～40份；缓蚀剂0.5份～10份；光亮剂0.1份～4份。上述抛光液采用磷酸、硫酸、铝离子、强氧化剂、缓蚀剂和光亮剂协同配合，可以有效地避免铝材过腐蚀的问题，并且还可以确保具有较好的抛光效果和较高的抛光效率。同时，其对人身和环境危害性也较小。此外，上述抛光液尤其适用于7系铝材的化学抛光工序。
- 一种含银复合膜的蚀刻液组合物及蚀刻方法-201811323201.X
- 徐杨;邵勇;承明忠;陈林;顾玲燕;殷福华;朱龙;赵文虎 - 江阴江化微电子材料股份有限公司
- 2018-11-08 - 2019-01-25 - C09K13/06
- 本发明公开了一种含银复合膜的蚀刻液组合物，按重量百分比计，其主要组成为4～9％的硝酸、45～55％的磷酸、8～15％的乙酸、0.1～5％的无机铵盐和20～30％的水，还包括重量百分比不大于5％的C4～C6脂肪族羟基酸，脂肪族羟基酸结构通式中与羧基相连的α位碳原子上含有羟基和H取代基。酸性蚀刻体系中，基于相同的无机酸浓度，α‑羟基酸的加入有助于降低银层的蚀刻速度，减小蚀刻液组合物对银和ITO的蚀刻速率差，改善顶层ITO坍塌，基板铝布线表面银单质吸附量少，满足后期镀膜要求，蚀刻产品良率提高。本发明还公开了一种含银复合膜蚀刻液组合物的蚀刻方法。
- 面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液-201811269095.1
- 王润杰;郑李辉;卢洪庆;李华平;陈文波 - 苏州博洋化学股份有限公司
- 2018-10-29 - 2019-01-18 - C09K13/06
- 本发明涉及面板显示阵列制程用新型草酸系ITO蚀刻液，以重量百分比计算，包括3.2‑3.6％的草酸、5ppm‑900ppm的表面活性剂和余量的超纯水。本发明选用新型的表面活性剂，该表面活性剂降低了表面张力以达到对微晶的控制；同时没有其他任何负面作用，微观细节的控制也更优；同时无稳定泡沫存在，3‑10s完全自消泡，消除了泡沫对蚀刻的影响，提高了产品良率。
- 一种蚀刻液组合物及其氮化钽薄膜的湿法刻蚀方法-201811099131.4
- 王进 - 绵阳致知高新科技有限责任公司
- 2018-09-20 - 2019-01-01 - C09K13/06
- 本发明公开了一种蚀刻液组合物及其氮化钽薄膜的湿法刻蚀方法，所述的蚀刻液组合主要为氢氟酸、十二烷基氨基丙酸、邻二氮菲和水组成的混合物。与现有技术相比，本发明提出一种针对氮化钽薄膜的蚀刻组合物，用于氮化钽薄膜的蚀刻时，能够提高并控制蚀刻速度，并且有效抑制了光刻胶层的劣化，其结果是能够得到表面平坦光滑的蚀刻面。突破现有干法刻蚀技术壁垒，研发出了薄膜电阻领域中氮化钽薄膜的湿法刻蚀技术。推进氮化钽薄膜电阻的市场化应用，为国家电子信息技术的快速发展贡献一份力量。
- 用于在半导体器件的制造过程中选择性除去氮化硅的蚀刻溶液-201810570790.5
- 李翊嘉;刘文达 - 弗萨姆材料美国有限责任公司
- 2018-06-05 - 2018-12-21 - C09K13/06
- 本文描述的是包含水，磷酸溶液(水性的)和含羟基溶剂的蚀刻溶液。这样的组合物可用于在微电子器件制造过程中从其上具有氮化硅和氧化硅的微电子器件相对于氧化硅选择性除去氮化硅。
- 一种用于ITO/Ag/ITO薄膜的低张力的蚀刻液-201510169664.5
- 康威;梁作;赵大成;陈昊 - 深圳新宙邦科技股份有限公司
- 2015-04-10 - 2018-11-27 - C09K13/06
- 本申请公开了一种用于ITO/Ag/ITO多层薄膜的低张力的蚀刻液，该蚀刻液由总重量10％～30％的醋酸、1％～20％的硝酸、40％～70％的磷酸、0.1～0.5％的表面活性剂和0.1～5％的硝酸盐组成，余量为去离子水。本申请的蚀刻液，合理调配各组分及用量，使蚀刻液表面张力低，能有效渗透、浸润到需要蚀刻部位，提高蚀刻效率，同时，提高蚀刻角度的准确性。并且，本申请的蚀刻液，能有效的对银含量超过80％的ITO/Ag/ITO进行蚀刻。本申请的蚀刻液腐蚀力相对较低，能够在温和的条件下进行蚀刻，且蚀刻后不会有残渣、线条平整、蚀刻均匀；适合用于高精度图案的ITO/Ag/ITO多层薄膜的蚀刻。
- 蚀刻剂组成物及利用此的透明电极形成方法-201510540872.1
- 朴弘植;文英慜;郑锺铉;金宝衡;南基龙;朴英哲;尹暎晋 - 三星显示有限公司;东友精细化工有限公司
- 2015-08-28 - 2018-09-28 - C09K13/06
- 本发明公开了一种蚀刻剂组成物及利用此的透明电极形成方法，所述蚀刻剂组成物包括：硝酸，3重量％以上且小于10重量％；氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；氨化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；环状氨基化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；其余重量％的水。据此，可以通过选择性地蚀刻金属氧化层，防止包括铜、钛、钼或者铝的金属层的蚀刻。
- 一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法-201610860973.1
- 胡涛;刘志彪;陈虹飞;邢攸美;尹云舰 - 杭州格林达电子材料股份有限公司
- 2016-09-29 - 2018-09-28 - C09K13/06
- 一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法，重量百分比组成如下：硝酸2～8％，硫酸2～12％，添加剂0.01～2％，余量水，所述添加剂为碱金属盐和有机物的混合物，有机物选用硫脲衍生物、六次甲基四胺、咪唑、苯并三氮唑和2,4,6‑三羟基苯甲酸中的任意一种。本发明的蚀刻液以硝酸和硫酸为主要成分，工艺简单，酸浓度适中，对ITO导电薄膜具有优异的蚀刻性能，蚀刻速率适中，蚀刻精度高无残留，能够满足不同厚度ITO的蚀刻要求。同时采用一种碱金属盐和一种有机物作为添加剂，对下层金属Al或者Mo都具有优异的抗蚀效果，能够很好的满足技术工艺和制程要求。另外，该蚀刻液以低成本硫酸为原料，在满足技术工艺和制程要求的基础上有利于降低蚀刻液的成本。
- 一种用于ITO-Ag-ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法-201610860875.8
- 胡涛;倪芸岚;高立江;邢攸美;龚升;尹云舰;方伟华 - 杭州格林达电子材料股份有限公司
- 2016-09-29 - 2018-07-17 - C09K13/06
- 本发明涉及一种用于ITO‑Ag‑ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法，其重量百分比组成如下：硝酸5～15％，硫酸5～15％，醋酸5～25％，添加剂0.01～1％，余量为水，所述添加剂为碱金属盐。该蚀刻液的制备方法为:按比例依次将电子级硫酸、电子级硝酸和电子级醋酸加入到混配釜中，然后加入添加剂和余量高纯水，搅拌循环后过滤。该蚀刻液蚀刻能力强，蚀刻精度高无残留。该蚀刻液以硫酸为原料，不含磷酸，蚀刻液黏度低，蚀刻过程中药液带出量少，蚀刻液寿命长，有利于降低蚀刻液的成本。
- 液晶面板制造工艺中的ITO膜蚀刻液及其制备方法-201510296599.2
- 殷福华;邵勇;朱龙 - 江阴江化微电子材料股份有限公司
- 2015-06-02 - 2018-01-26 - C09K13/06
- 本发明公布了一种液晶面板制造工艺中的ITO膜蚀刻液，包括以下重量百分比的组合物草酸3.5％～4.3％；丁酸0.2％～0.8％；正戊酸1.2％～2.6％；碘酸1.2％～2.6％；盐酸15％～20％；其余为纯水。本发明通过在原有工艺的基础上新加入了添加剂丁酸，正戊酸、碘酸以及盐酸，能有效降低ITO蚀刻液的表面张力，不仅能够产生渗透，浸润的作用，而且能够蚀刻铟锡氧化物半导体透明导电膜速率适中，反应稳定，使其在不影响产品质量的前提下提高产品的蚀刻效果，并使产品能在较低的环境温度下保存，避免了原有技术造成的蚀刻不干净，不能在低温下储存的缺点，本方法能适用于大规模生产。
- 蚀刻液-201710388257.2
- 吉崎了;向喜广 - 长濑化成株式会社
- 2017-05-27 - 2017-12-08 - C09K13/06
- 本发明提供一种蚀刻液，该蚀刻液对铟的溶解度大，可抑制草酸与铟的盐的析出，能够长期使用，并且残渣除去性和消泡性也优异，适用于氧化铟系膜的蚀刻。本发明的蚀刻液的特征在于，其含有(A)草酸、(B)聚乙烯吡咯烷酮以及(C)水，被用于氧化铟系膜的蚀刻。
- 一种AM‑OLED显示屏用ITO/Ag/ITO蚀刻液及制备方法-201510619646.2
- 戈烨铭 - 江阴润玛电子材料股份有限公司
- 2015-09-25 - 2017-12-05 - C09K13/06
- 本发明公开了一种AM‑OLED显示屏用ITO/Ag/ITO蚀刻液及其制备方法。该蚀刻液包括磷酸、醋酸、硝酸、添加剂、表面活性剂以及纯水。该蚀刻液制备方法是在常温常压下保持配料罐搅拌器转速，向配料罐中依次加入纯水、磷酸、醋酸、硝酸、添加剂、表面活性剂以及余量纯水，充分搅拌后通入过滤器过滤制得ITO/Ag/ITO蚀刻液。本发明中的ITO/Ag/ITO蚀刻液颗粒度小，纯度高，对不同金属的蚀刻速率基本一致，反应稳定；调整磷酸和硝酸的浓度，可使蚀刻速率可控；使用该蚀刻液蚀刻后的基板表面整洁，无残留，无金属间分层现象，剩余线条平整，蚀刻角度保持在70~90°之间。
- 一种半导体芯片用镍银腐蚀液-201710464632.7
- 戈烨铭 - 江阴润玛电子材料股份有限公司
- 2017-06-19 - 2017-10-24 - C09K13/06
- 本发明涉及一种半导体芯片用镍银腐蚀液，包括醋酸溶液，硝酸溶液，表面活性剂，分散剂，络合剂，余量为纯水。表面活性剂采用非离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂复配混合物。本申请镍银腐蚀液具有润湿性能高，稳定性高，在进行有效腐蚀镍、银金属的同时，亦不会对半导体芯片的基材造成腐蚀。同时对其生成物通过分散、络合使其易于后续工艺清洗完全，解决了腐蚀生成物难以清洗完全和清洗用水量大的技术问题。
- 一种用于液晶面板制造工艺的铜蚀刻液-201710412473.6
- 白航空 - 合肥市惠科精密模具有限公司
- 2017-06-02 - 2017-09-15 - C09K13/06
- 本发明公开了一种用于液晶面板制造工艺的铜蚀刻液，所述铜蚀刻液由下列重量百分比组分组成硫酸23‑25％、盐酸13‑16％、醋酸7‑9％、磺酸类化合物3‑5％、无机盐氯化物3‑5％、添加剂8‑15％和去离子水30‑35％。与现有技术相比，本发明制得的铜蚀刻液不引入任何金属离子和阴离子，蚀刻后的氧化层表面无残留，且能赋予蚀刻液较低的表面张力，增大蚀刻液渗透性，可以使蚀刻液进入2.5μm孔径；表面活性剂具有高表面活性疏水疏油的性质，能极大的降低溶液的表面张力，因此其用量少，生产成本较低。
- 一种用于氧化物材料体系的蚀刻液及其蚀刻方法和应用-201410191479.1
- 范冰丰;王钢;童存声 - 佛山市中山大学研究院
- 2014-05-07 - 2017-04-05 - C09K13/06
- 本发明公开了一种用于氧化物材料体系的蚀刻液，该蚀刻液包括氧化物蚀刻溶液、起到稠度调节作用的调节剂以及水；同时本发明还公开了上述蚀刻液的蚀刻方法及应用。本发明公开的蚀刻液和蚀刻方法可普遍适用于Sn、Zn、Al、Ga、In基及其合金氧化物薄膜材料刻蚀，尤其是ZnO、AZO、GZO、IGZO、IZO等氧化物材料的刻蚀，也可广泛的用于制备精细电子部件中氧化物材料的刻蚀，例如半导体光电器件、太阳能电池、TFT薄膜晶体管、半导体集成电路和透明电极等。本发明的蚀刻液相较于传统的刻蚀液，其具有抑制侧蚀、防止刻蚀不均以及防止刻蚀残留的效果。
- 蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法-201610796482.5
- 金荣濬;安守民;郑在祐;朴弘植;孙桢翊;吴晞诚;林廷训 - 三星显示有限公司;秀博瑞殷株式公社
- 2016-08-31 - 2017-03-15 - C09K13/06
- 本发明公开一种蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法。根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物可以包含5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水。
- 一种ITO镀膜返工处理蚀刻液及其制备方法-201610717761.8
- 陈新华;严由雄;刘生华 - 赣州帝晶光电科技有限公司
- 2016-08-24 - 2017-02-08 - C09K13/06
- 本发明属于TFT‑LCD减薄镀膜领域，本发明公开了一种ITO镀膜返工处理蚀刻液及其制备方法。ITO镀膜返工处理蚀刻液，由盐酸、草酸、有机多元磷酸、碘酸和纯水五种原料混合均匀而成；该ITO镀膜返工处理蚀刻液制备工艺，包括将强酸性阳离子交换树脂加入到盐酸中，搅拌混合，然后滤出强酸性阳离子交换树脂，控制或去除盐酸中的杂质离子；将草酸晶体、部分纯水、盐酸、有机多元磷酸、碘酸、剩余纯水，最后过滤制得ITO镀膜返工处理蚀刻液；有益效果本发明的蚀刻液对ITO层的浸润性好，保证TFT‑LCD上的ITO能够完全蚀刻，从而减少产品的报废率；蚀刻后微晶体残留很少，保证蚀刻液在使用的过程中不会堵塞过滤器。
- 使用混合酸液无铬刻蚀有机聚合物的方法-201410245518.1
- K·魏特邵斯;W·张-伯格林格;A·沙耶伯;J·格比 - 罗门哈斯电子材料有限公司
- 2014-04-16 - 2017-01-11 - C09K13/06
- 使用混合酸液无铬刻蚀有机聚合物的方法。提供了一种方法，所述方法包括：a.提供包含一种或多种有机聚合物的基材；b.提供一种水性酸溶液，所述水性酸溶液基本由硫酸、一种或多种有机酸以及Mn(II)离子和Mn(III)离子组成；和c.将基材的一种或多种有机聚合物与所述水性酸溶液接触，以刻蚀所述基材的一种或多种有机聚合物。
- 蚀刻剂组合物及使用其形成透明电极的方法-201610079608.7
- 权玟廷;金宝衡;刘仁浩 - 东友精细化工有限公司
- 2016-02-04 - 2016-08-24 - C09K13/06
- 公开了用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物以及使用其形成透明电极的方法，所述蚀刻剂组合物包括5‑10wt％的硝酸，0.5‑5wt％的磺酰氯类化合物，0.1‑5wt％的环胺化合物，和剩余部分的水。当蚀刻厚的氧化铟层(
或更多)以形成具有低电阻的透明电极层时，蚀刻剂组合物能够充分增大蚀刻速率而不产生残渣，因此提高加工效率。
- 一种基于纳米二氧化硫的电路板用蚀刻液的制备方法-201510952044.9
- 刘进军 - 无锡吉进环保科技有限公司
- 2015-12-16 - 2016-05-04 - C09K13/06
- 本发明公布了一种基于纳米二氧化硫的电路板用蚀刻液的制备方法，其中所述蚀刻液包括以下重量百分比的组合物：纳米二氧化硫3.5％～6.5％；三乙醇胺1.2％～1.6％；碘酸0.5％～1.6％；有机盐酸2.5％～3.3％；非离子表面活性剂1.5％～2.3％；稳定剂0.5％～1.5％；消泡剂3.5％～5.6％；其余为蒸馏水。本发明通过在原有工艺的基础上新加入了纳米二氧化硫，不仅能够在不发生抗蚀涂层渗透的情况下进行蚀刻，显著提高铬金属膜的蚀刻速度，具有蚀刻速度可控性，有效抑制抗蚀保护层的劣化，得到表面平坦光滑的铬金属膜配线，具有重要的应用价值。
- 一种高世代平板用ITO蚀刻液-201510832036.0
- 邵勇;殷福华;栾成;赵文虎;李英;朱龙;顾玲燕 - 江阴江化微电子材料股份有限公司
- 2015-11-25 - 2016-02-03 - C09K13/06
- 本发明公开了一种高世代平板用ITO蚀刻液，其组分按重量百分比计包括：4～16%重量的硫酸、7～22%重量的硝酸、0.1～10%重量的醋酸、0.01～5%的添加剂、余量的水；其中，所述添加剂中包含阴离子双子表面活性剂，所述阴离子双子表面活性剂为磷酸盐型双子表面活性剂和/或磷酸酯盐型双子表面活性剂。采用硫酸/硝酸/醋酸三酸系的ITO蚀刻体系，通过添加双子表面活性剂，解决了蚀刻ITO过程中的酸雾挥发、蚀刻表面温度局部升高硝酸分解的问题，提高了蚀刻液的工作稳定性，蚀刻所得线路边缘清晰无侧蚀，无针孔和缺口产生。
- 一种用于ITO/Ag/ITO多层薄膜的蚀刻液-201510169007.0
- 康威;梁作;赵大成;陈昊 - 深圳新宙邦科技股份有限公司
- 2015-04-10 - 2015-08-26 - C09K13/06
- 本申请公开了一种用于ITO/Ag/ITO多层薄膜的蚀刻液，蚀刻液由总重量5-20％的草酸、10-40％的磷酸、0.1-0.5％的表面活性剂组成，余量为去离子水。本申请的蚀刻液，不仅使用十分方便、易于控制，而且在蚀刻过程中完全不产生蚀刻残渣，蚀刻均匀性好，可形成美观的图案。本申请的蚀刻液实现了在温和的工作条件下对ITO/Ag/ITO多层薄膜进行高效且高精度地蚀刻，为生产高精度产品奠定了基础。
- 专利分类
