[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该半导体器件的电子设备有效
| 申请号： | 201811264731.1 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109411539B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体器件及其制造方法及包括该半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件包括：衬底；与衬底间隔开、在衬底表面上方横向延伸的半导体纳米结构；环绕半导体纳米结构的外周形成的栅堆叠。半导体纳米结构下方的栅堆叠部分包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，半导体纳米结构上方的栅堆叠部分包括彼此相对的第三侧壁和第四侧壁。第一侧壁的至少一部分与第三侧壁的至少一部分基本共面，和/或第二侧壁的至少一部分与第四侧壁的至少一部分基本共面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；与衬底间隔开、在衬底表面上方横向延伸的半导体纳米结构；以及环绕半导体纳米结构的外周形成的栅堆叠，其中，半导体纳米结构下方的栅堆叠部分包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，半导体纳米结构上方的栅堆叠部分包括彼此相对的第三侧壁和第四侧壁，其中，第一侧壁的至少一部分与第三侧壁的至少一部分基本共面，和/或第二侧壁的至少一部分与第四侧壁的至少一部分基本共面。
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