[发明专利]半导体装置的制造方法及基板处理装置在审
| 申请号： | 201811248985.4 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109713123A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 山口达也 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置的制造方法及基板处理装置。本发明提供如下技术：在制造半导体装置的制造工序中，在基板上形成用于保护被保护层免受对该基板进行的处理的保护材料、并在处理后去除该保护材料时，能够防止半导体装置的品质下降。将聚合用的原料供给至用于制造半导体装置的基板W的表面，形成由具有脲键的聚合物构成的保护材料(15)，所述保护材料(15)用于保护设置在该基板上的应该保护的被保护层(14)免受对该基板W进行的处理。然后，在基板W的处理后，通过在低氧气氛中对该基板W进行加热而使前述聚合物解聚，从而去除保护材料(15)。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 半导体装置 保护材料 基板处理装置 被保护层 聚合物 制造 去除 低氧气氛 原料供给 制造工序 解聚 脲键 加热 聚合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其包括以下工序：将聚合用的原料供给至用于制造半导体装置的基板的表面，形成由具有脲键的聚合物构成的保护材料的工序，所述保护材料用于保护设置在该基板上的应该保护的被保护层免受对该基板进行的处理；接着，对形成有所述保护材料的所述基板进行所述处理的工序；和，接下来，在低氧气氛中对所述基板进行加热而使所述聚合物解聚，从而去除所述保护材料的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811248985.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
