[发明专利]形成场效晶体管的方法在审
| 申请号： | 201811248710.0 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109860053A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 范玮寒;吕伟元;杨玉麟;范纯祥;杨世海 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括提供结构，其具有基板与自基板延伸的鳍状物，其中鳍状物包括第一半导体材料并具有用于晶体管的源极区、通道区、与漏极区；形成栅极堆栈于通道区上；对源极区与漏极区中的鳍状物进行表面处理，使源极区与漏极区中的鳍状物的外侧部分转变成不同于第一半导体材料的材料；蚀刻源极区与漏极区中的鳍状物其转变的外侧部分，以减少源极区与漏极区中的鳍状物宽度；以及沉积外延层于源极区与漏极区中的鳍状物上。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍状物 漏极区 源极区 半导体材料 通道区 基板 蚀刻 场效晶体管 栅极堆栈 外延层 晶体管 沉积 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种形成场效晶体管的方法，包括：提供一结构，其具有一基板与自该基板延伸的一鳍状物，该鳍状物包括一第一半导体材料并具有用于一晶体管的一源极区、一通道区、与一漏极区；形成一栅极堆栈于该通道区上；对该源极区与该漏极区中的该鳍状物进行一表面处理，使该源极区与该漏极区中的该鳍状物的外侧部分转变成不同于该第一半导体材料的材料；蚀刻该源极区与该漏极区中的该鳍状物的被转变的外侧部分，以减少该源极区与该漏极区中的该鳍状物的宽度；以及沉积一外延层于该源极区与该漏极区中的该鳍状物上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
