[发明专利]形成场效晶体管的方法

说明书

方法包括提供结构，其具有基板与自基板延伸的鳍状物，其中鳍状物包括第一半导体材料并具有用于晶体管的源极区、通道区、与漏极区；形成栅极堆栈于通道区上；对源极区与漏极区中的鳍状物进行表面处理，使源极区与漏极区中的鳍状物的外侧部分转变成不同于第一半导体材料的材料；蚀刻源极区与漏极区中的鳍状物其转变的外侧部分，以减少源极区与漏极区中的鳍状物宽度；以及沉积外延层于源极区与漏极区中的鳍状物上。

技术领域

本发明实施例有关半导体装置，特别是有关具有多栅极与源极/漏极结构的场效晶体管的半导体装置。

背景技术

半导体集成电路产业已经历指数式成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路都比前一代的集成电路具有更小且更复杂的电路。在集成电路演变中，功能密度(如单位芯片面积所含的内联机装置数目)通常随着几何尺寸(如制程所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。制程尺寸缩小通常有利于增加产能并降低相关成本。尺寸缩小也会增加集成电路的制程与形成方法的复杂性。

导入多栅极装置可增加栅极-通道耦接、降低关闭状态的电流、并降低短通道效应，以改善栅极控制。多栅极装置的例子包含双栅极场效晶体管、三栅极场效晶体管、鳍状场效晶体管、Ω栅极场效晶体管、与全环绕式栅极场效晶体管。多栅极场效晶体管预期可使半导体制程技术，缩小至超出现有的基体金属氧化物半导体场效晶体管的技术限制。然而随着晶体管结构缩小并转为三维结构，晶体管源极与漏极外延结构的质量对装置效能的影响变大。虽然现有的源极/漏极外延结构形成方法已符合其发展目的，但仍无法符合所有方面的需求。

发明内容

本发明一实施例提供的形成场效晶体管的方法，包括：提供结构，其具有基板与自基板延伸的鳍状物，其中鳍状物包括第一半导体材料并具有用于晶体管的源极区、通道区、与漏极区；形成栅极堆栈于通道区上；对源极区与漏极区中的鳍状物进行表面处理，使源极区与漏极区中的鳍状物的外侧部分转变成不同于第一半导体材料的材料；蚀刻源极区与漏极区中的鳍状物的被转变的外侧部分，以减少源极区与漏极区中的鳍状物的宽度；以及沉积外延层于源极区与漏极区中的鳍状物上。

附图说明

图1是一些实施例中，制作半导体装置的方法的流程图。

图2、3、4、5、6A、6B、7A、7B、7C、7D、8、9、与10是一些实施例中，依据图1的方法形成半导体装置的透视图与剖视图。

附图标记说明

ΔH_liner 距离

A-A’、B-B’ 剖线

H_fin、H_fin2 高度

W_fin、W_fin2 宽度

10 方法

12、14、16、18、20、24、26、28、30 步骤

22 修整循环

100 装置

102 基板

110 鳍状物

110a 源极/漏极区

110a-1 上侧部分

110a-2 底部

110b 通道区

112 隔离结构

114 虚置界面层

114a 高介电常数的介电层

116 虚置栅极

116a 导电层