[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201811241505.1 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109801967A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 谢东伯;刘书豪;刘虹志;黄净惠;黄玠瑝;谭伦光;张惠政;陈亮吟;陈国儒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供半导体结构及其形成方法，半导体结构包含栅极结构、源极/漏极结构、第一接触插塞和第一通孔插塞。栅极结构位于鳍结构上方。源极/漏极结构位于鳍结构中，并与栅极结构相邻。第一接触插塞位于源极/漏极结构上方。第一通孔插塞位于第一接触插塞上方，第一通孔插塞包含第一组IV元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 源极/漏极 接触插塞 栅极结构 插塞 通孔 鳍结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一栅极结构，位于一鳍结构上方；一源极/漏极结构，位于该鳍结构中，并与该栅极结构相邻；一第一接触插塞，位于该源极/漏极结构上方；以及一第一通孔插塞，位于该第一接触插塞上方，其中该第一通孔插塞包括一第一组IV元素。
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