[发明专利]一种AlN模板及其制备方法、发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201811211085.2 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109616401B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;张武斌;乔楠;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlN模板及其制备方法、发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供蓝宝石衬底；采用物理气相沉积方法在蓝宝石衬底上沉积AlN薄膜，AlN薄膜包括第一AlN层、以及顺次层叠在第一AlN层上的若干复合层，复合层包括Al层和覆盖在Al层上的第二AlN层，靠近第一AlN层的复合层中的Al层覆盖在第一AlN层上。本发明能够在蓝宝石衬底上形成厚度均匀的AlN薄膜，改善发光二极管外延片的波长均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 aln 模板 及其 制备 方法 发光二极管 外延 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
