[发明专利]具有温度稳定特性的SCR部件及其制作方法有效
申请号: | 201811209506.8 | 申请日: | 2014-09-12 |
公开(公告)号: | CN109585288B | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | S·梅纳德 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(图尔)公司 |
主分类号: | H01L21/332 | 分类号: | H01L21/332;H01L21/28;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/32;H01L29/51;H01L29/74;H01L21/306;H01L29/06 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;彭梦晔 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及一种具有温度稳定特性的SCR部件。垂直结构的SCR型部件具有形成在第一导电类型的硅区域上、自身形成在第二导电类型的硅层中的主上部电极,其中所述区域中断在其中硅层的材料与上部电极接触的第一部位中,以及在采用延伸在硅层和电极之间的电阻性多孔硅填充的第二部位中。 | ||
搜索关键词: | 具有 温度 稳定 特性 scr 部件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于集成部件的方法,包括:在第二导电类型的硅层中形成第一导电类型的硅区域,其中所述硅区域在多个部位中被中断;形成所述第二导电类型的外围硅壁;在上表面上沉积掩模层,所述掩模层包括开口,所述开口暴露出中断的所述部位和所述外围硅壁中的至少一个;浸入接触所述上表面的第一电解液浴剂中;浸入接触与所述上表面相对的下表面的第二电解液浴剂中;其中正电极和负电极分别浸入所述第一电解液浴剂和所述第二电解液浴剂中;以及在所述正电极和所述负电极之间施加电压,以便在所述外围硅壁中具有电流,所述电流的一部分在所述硅层中流动并且通过所述部位,以在中断的所述部位中将所述硅层转换为电阻性多孔硅区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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