[发明专利]具有温度稳定特性的SCR部件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201811209506.8 申请日: 2014-09-12
公开(公告)号: CN109585288B 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: S·梅纳德 申请(专利权)人: 意法半导体(图尔)公司
主分类号: H01L21/332 分类号: H01L21/332;H01L21/28;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/32;H01L29/51;H01L29/74;H01L21/306;H01L29/06
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;彭梦晔
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及一种具有温度稳定特性的SCR部件。垂直结构的SCR型部件具有形成在第一导电类型的硅区域上、自身形成在第二导电类型的硅层中的主上部电极,其中所述区域中断在其中硅层的材料与上部电极接触的第一部位中,以及在采用延伸在硅层和电极之间的电阻性多孔硅填充的第二部位中。
搜索关键词: 具有 温度 稳定 特性 scr 部件 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种用于集成部件的方法,包括:在第二导电类型的硅层中形成第一导电类型的硅区域,其中所述硅区域在多个部位中被中断;形成所述第二导电类型的外围硅壁;在上表面上沉积掩模层,所述掩模层包括开口,所述开口暴露出中断的所述部位和所述外围硅壁中的至少一个;浸入接触所述上表面的第一电解液浴剂中;浸入接触与所述上表面相对的下表面的第二电解液浴剂中;其中正电极和负电极分别浸入所述第一电解液浴剂和所述第二电解液浴剂中;以及在所述正电极和所述负电极之间施加电压,以便在所述外围硅壁中具有电流,所述电流的一部分在所述硅层中流动并且通过所述部位,以在中断的所述部位中将所述硅层转换为电阻性多孔硅区域。
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