[发明专利]一种硅酸钛钡压电晶体切型及其应用有效
| 申请号： | 201811197979.0 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109338473B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 于法鹏;姜超;陈菲菲;程秀凤;张树君;赵显 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B29/60 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种硅酸钛钡压电晶体切型，所述的硅酸钛钡压电晶体切型为任意沿偏离Z轴θ角切割即可获得具有较高压电常数和线性的热膨胀系数的切型，记为(θ，ψ)，其中45°≤θ≤50°，‑180°≤ψ≤180°。该切型在室温到500℃范围内，线性热膨胀系数为8.0‑8.2ppm/℃，有效压电常数d |
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| 搜索关键词： | 一种 硅酸 压电 晶体 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种硅酸钛钡压电晶体切型，对于四方晶系硅酸钛钡晶体，物理学坐标轴X、Y和Z轴分别平行于晶体学坐标轴a，b和c轴，晶体压电系数d33数值为正的方向为+Z轴，数值为负的方向为‑Z轴，确定出硅酸钛钡晶体的Z轴方向，所述的硅酸钛钡压电晶体切型为任意沿偏离Z轴θ角切割即可获得具有较高压电常数和线性的热膨胀系数的切型，记为(θ，ψ)，其中‑180°≤ψ≤180°。
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