[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201811159425.1 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109300840B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 周天民;王利忠;杨维;黄睿;卢鑫泓 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 杨广宇 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该方法包括：在衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层；在形成有第一层间介质层的衬底基板上依次形成有源层材质层、第二栅绝缘层、第二栅极和层间介质材质层；通过一次构图工艺对有源层材质层和层间介质材质层进行处理，得到第二有源层和第二层间介质层。本申请解决了显示基板的制造过程复杂，制造成本较高的问题，简化了显示基板的制造过程，降低了显示基板的制造成本。本申请用于LTPO基板的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层；在形成有所述第一层间介质层的衬底基板上依次形成有源层材质层、第二栅绝缘层、第二栅极和层间介质材质层；通过一次构图工艺对所述有源层材质层和所述层间介质材质层进行处理，得到第二有源层和第二层间介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
