[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201811159425.1 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN109300840B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 周天民;王利忠;杨维;黄睿;卢鑫泓 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32;H01L21/82 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层;
在形成有所述第一层间介质层的衬底基板上形成第二缓冲层;
在形成有所述第二缓冲层的衬底基板上依次形成有源层材质层、第二栅绝缘层、第二栅极和层间介质材质层;
通过一次构图工艺对所述有源层材质层和所述层间介质材质层进行处理,得到第二有源层和第二层间介质层;
通过一次构图工艺在所述第一层间介质层上和所述第一栅绝缘层上分别形成多个第一过孔,所述第一层间介质层上的多个第一过孔与所述第一栅绝缘层上的多个第一过孔一一对应连通;
在形成有所述第二层间介质层的衬底基板上依次形成第一源漏极层、钝化层、第一平坦层、第二源漏极层和第二平坦层;
其中,所述显示基板具有多个显示单元,在每个显示单元中,所述第一源漏极层包括两个第一源极和一个第一漏极,所述第二源漏极层包括第二源极和第二漏极,所述两个第一源极中的一个第一源极和所述第一漏极的一端分别搭接在所述第二有源层的台阶结构上,所述两个第一源极中的另一个第一源极和所述第一漏极的另一端分别通过一组所述第一过孔与所述第一有源层连接,每组所述第一过孔包括所述第二缓冲层上和所述第一层间介质层上连通的两个第一过孔,所述钝化层上和所述第一平坦层上分别形成有多个第二过孔,所述钝化层上的多个第二过孔与所述第一平坦层上的多个第二过孔一一对应连通,所述第二源极通过一组所述第二过孔与所述另一个第一源极连接,所述第二漏极通过一组所述第二过孔与所述第一漏极连接,每组所述第二过孔包括所述第一平坦层上和所述钝化层上连通的两个第二过孔。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述第二栅绝缘层的形状与所述第二栅极的形状相同,所述第二有源层、所述第二栅绝缘层和所述第二栅极依次叠加,所述第二层间介质层覆盖所述第二栅绝缘层、所述第二栅极和所述第二有源层的上表面的部分区域,所述第二有源层的上表面中未被所述第二层间介质层覆盖的区域为用于与待形成的第一源极和第一漏极搭接的台阶结构的台阶面。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,
所述通过一次构图工艺对所述有源层材质层和所述层间介质材质层进行处理,得到第二有源层和第二层间介质层,包括:
在所述层间介质材质层上形成光刻胶层;
对形成有所述光刻胶层的衬底基板依次进行曝光、显影和刻蚀,得到依次叠加的初始层间介质层和光刻胶图形,所述初始层间介质层的形状与所述光刻胶图形的形状相同;
对所述有源层材质层上,未被所述初始层间介质层覆盖的区域进行刻蚀,得到所述第二有源层;
对所述光刻胶图形进行灰化,露出所述初始层间介质层的待刻蚀区域;
对所述初始层间介质层的待刻蚀区域进行刻蚀,得到所述第二层间介质层,露出所述第二有源层上用于与待形成的第一源极和第一漏极搭接的台阶结构的台阶面;
剥离剩余的光刻胶。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
在形成有所述第二层间介质层的衬底基板上依次形成第一源漏极层、钝化层、第一平坦层、第二源漏极层和第二平坦层之后,所述方法还包括:
在形成有所述第二平坦层的衬底基板上依次形成阳极、像素界定层和隔垫物层,所述第二平坦层上形成有第三过孔,所述阳极通过所述第三过孔与所述第二漏极连接。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
在衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层之前,所述方法还包括:
在所述衬底基板上依次形成柔性基底层、阻挡层和第一缓冲层;
所述衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层,包括:
在形成有所述第一缓冲层的衬底基板上依次形成所述第一有源层、所述第一栅绝缘层、所述第一栅极和所述第一层间介质层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造