[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置

说明书

本申请公开一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该方法包括：在衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层；在形成有第一层间介质层的衬底基板上依次形成有源层材质层、第二栅绝缘层、第二栅极和层间介质材质层；通过一次构图工艺对有源层材质层和层间介质材质层进行处理，得到第二有源层和第二层间介质层。本申请解决了显示基板的制造过程复杂，制造成本较高的问题，简化了显示基板的制造过程，降低了显示基板的制造成本。本申请用于LTPO基板的制造。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

低温多晶氧化物(英文：Low temperature polycrystalline oxide；简称：LTPO)基板是一种新型的显示基板，其具有低温多晶硅(英文：Low Temperature Poly-silicon；简称：LTPS)基板和氧化物(英文：Oxide)基板的优点，是未来显示基板的主要发展方向。其中，LTPS基板指的是显示单元中的薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)为LTPS TFT的显示基板，氧化物基板指的是显示单元中的TFT为氧化物TFT的显示基板，LTPO基板指的每个显示单元中包括LTPS TFT和氧化物TFT的显示基板，显示单元也称为子像素。

相关技术中，LTPO基板包括衬底基板，以及，设置在衬底基板上的聚酰亚胺层、阻挡层、第一缓冲层、多晶硅有源层、第一栅绝缘层、第一栅极、第一层间介质层、第二缓冲层、氧化物有源层、第二栅绝缘层、第二栅极、第二层间介质层、源漏极连接线、第一源漏极层、钝化层、第一平坦层、第二源漏极层、第二平坦层、阳极、像素界定层和隔垫物层。在制造该LTPO基板的过程中，多晶硅有源层、第一栅极、第一层间介质层、氧化物有源层、第二栅极、第二层间介质层、源漏极连接线、第一源漏极层、钝化层、第一平坦层、第二源漏极层、第二平坦层、阳极和像素定义层这14个膜层的制造均需要通过一次构图工艺处理。

在实现本申请的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：

由于多晶硅有源层、第一栅极、第一层间介质层、氧化物有源层、第二栅极、第二层间介质层、源漏极连接线、第一源漏极层、钝化层、第一平坦层、第二源漏极层、第二平坦层、阳极和像素定义层这14个膜层的制造均需要通过一次构图工艺处理，因此LTPO基板的制造过程至少需要14次构图工艺，该LTPO基板的制造过程复杂，制造成本较高。

发明内容

本申请提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以简化显示基板的制造过程，降低制造成本。本申请的技术方案如下：

第一方面，提供一种显示基板的制造方法，所述方法包括：

在衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层；

在形成有所述第一层间介质层的衬底基板上依次形成有源层材质层、第二栅绝缘层、第二栅极和层间介质材质层；

通过一次构图工艺对所述有源层材质层和所述层间介质材质层进行处理，得到第二有源层和第二层间介质层。

可选地，所述第二栅绝缘层的形状与所述第二栅极的形状相同，所述第二有源层、所述第二栅绝缘层和所述第二栅极依次叠加，所述第二层间介质层覆盖所述第二栅绝缘层、所述第二栅极和所述第二有源层的上表面的部分区域，所述第二有源层的上表面中未被所述第二层间介质层覆盖的区域为用于与待形成的第一源极和第一漏极搭接的台阶结构的台阶面。

可选地，所述通过一次构图工艺对所述有源层材质层和所述层间介质材质层进行处理，得到第二有源层和第二层间介质层，包括：

在所述层间介质材质层上形成光刻胶层；