[发明专利]介电层的制造方法

摘要

一种介电层的制造方法，此方法包括在基板上方形成层间介电质及栅极结构。栅极结构由层间介电质围绕。蚀刻栅极结构以形成凹槽。使用第一含硅前驱物在凹槽的侧壁及底部上方以及层间介电质的顶表面上方沉积第一介电层。使用与第一含硅前驱物不同的第二含硅前驱物在第一介电层上方且与第一介电层接触沉积第二介电层。使用第一含硅前驱物在第二介电层上方且与第二介电层接触沉积第三介电层。移除层间介电质的顶表面上方的第一、第二及第三介电层的部分。

主权项

1.一种介电层的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：在一基板上方形成一层间介电质及一栅极结构，其中该栅极结构由该层间介电质围绕；蚀刻该栅极结构以形成一凹槽；使用一第一含硅前驱物在该凹槽的侧壁及一底部上方以及该层间介电质的一顶表面上方沉积一第一介电层；使用与该第一含硅前驱物不同的一第二含硅前驱物在该第一介电层上方且与该第一介电层接触沉积一第二介电层；使用该第一含硅前驱物在该第二介电层上方且与该第二介电层接触沉积一第三介电层；以及移除该层间介电质的该顶表面上方的该第一介电层、该第二介电层及该第三介电层的过量部分。