[发明专利]一种垂直结构LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811135614.5 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109192823A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 郑洪仿;杨振大;黄经发 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直结构LED芯片的制作方法，包括提供发光结构，所述发光结构包括第一衬底、第一半导体层、有源层、第二半导体层和金属反射层；在金属反射层上依次形成第一键合缓冲层和第一键合金属层；在第二衬底上依次形成第二键合缓冲层和第二键合金属层；将第一键合金属层和第二键合层金属键合绑定在一起形成连接；去除第一衬底；将硬质掩膜置于第一半导体层的表面，采用电子束蒸发或磁控溅射的方法在第一半导体层上形成第一电极；形成单颗的垂直结构LED芯片。相应地，本发明还提供了一种垂直结构LED芯片。本发明的制作方法不需要使用光刻工艺，提高生产效率和制作成本，减少了光刻过程中产生的有机物对环境的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直结构LED芯片 半导体层 键合金属层 衬底 金属反射层 发光结构 制作 缓冲层 键合 电子束蒸发 磁控溅射 第一电极 光刻工艺 光刻过程 金属键合 生产效率 硬质掩膜 键合层 有机物 绑定 源层 去除 污染 | ||
【主权项】：
1.一种垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供发光结构，所述发光结构包括第一衬底、第一半导体层、有源层、第二半导体层和金属反射层；在金属反射层上依次形成第一键合缓冲层和第一键合金属层；在第二衬底上依次形成第二键合缓冲层和第二键合金属层；将第一键合金属层和第二键合层金属键合绑定在一起形成连接；去除第一衬底；将硬质掩膜置于第一半导体层的表面，采用电子束蒸发或磁控溅射的方法在第一半导体层上形成第一电极，其中，所述硬质掩膜上设有与第一电极大小和形状相配的通孔；采用激光切割第二衬底和发光结构，形成单颗的垂直结构LED芯片。
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