[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201811132992.8 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110957349B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 林志威;邱柏豪 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。此装置包括具有高压阱的半导体基板、位于上述半导体基板上的栅极介电层、位于上述栅极介电层上的T型栅极，上述T型栅极具有延伸超出T型栅极的颈部的多个突出结构、设置在上述T型栅极的多个突出结构下方的介电颈部支撑件、设置在上述介电颈部支撑件下方的刻蚀终止部件、设置在上述T型栅极两侧的高压阱中的一对漂移区、以及位于该对漂移区内的一对源极/漏极区。该半导体装置可提升其击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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